[導(dǎo)讀]全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量,由于浸潤式機(jī)臺(tái)(ImmersionScanner)遞延交貨之故,瑞晶已松口表示,原本計(jì)劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程的目標(biāo),將正式遞延至2011年第1季,其第1臺(tái)浸潤式機(jī)臺(tái)本周
全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量,由于浸潤式機(jī)臺(tái)(ImmersionScanner)遞延交貨之故,瑞晶已松口表示,原本計(jì)劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程的目標(biāo),將正式遞延至2011年第1季,其第1臺(tái)浸潤式機(jī)臺(tái)本周才會(huì)正式到貨,比原訂時(shí)程晚了2~3個(gè)月,內(nèi)部已決定將8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63納米制程作為應(yīng)變。DRAM業(yè)者皆認(rèn)為,全球DRAM產(chǎn)業(yè)的40納米正式對決時(shí)間點(diǎn),會(huì)是在2011年!
瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示,瑞晶第1臺(tái)浸潤式機(jī)臺(tái)將于本周正式到貨,預(yù)計(jì)在9月之前會(huì)有5~6臺(tái)浸潤式機(jī)臺(tái)進(jìn)來,屆時(shí)將加快轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程的速度。
陳正坤進(jìn)一步指出,三星電子(SamsungElectronics)這次在40納米世代的技術(shù)再度超前,其實(shí)是臺(tái)系DRAM廠和美日同業(yè)都遇到相同的瓶頸,其中大部分都是卡在浸潤式機(jī)臺(tái)遞延交貨之故。
根據(jù)DRAM業(yè)者透露,三星早在2009年初就開始預(yù)定浸潤式機(jī)臺(tái),加上東芝(Toshiba)、臺(tái)積電等半導(dǎo)體大廠在50納米以下制程,也都需要浸潤式機(jī)臺(tái),2009年臺(tái)系DRAM廠因?yàn)樨?cái)務(wù)缺口還身陷泥淖,現(xiàn)在面對機(jī)臺(tái)遞延的狀況,只能無奈接受。
不過,瑞晶為了彌補(bǔ)45納米制程進(jìn)度遞延,內(nèi)部也決定將旗下8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63納米制程,原本內(nèi)部計(jì)劃只轉(zhuǎn)一部分,另一部分要從65納米直接跳45納米,但依據(jù)現(xiàn)在情勢發(fā)展,瑞晶已決定加速全轉(zhuǎn)進(jìn)63納米制程,才能趕上下半年個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)傳統(tǒng)旺季。
陳正坤表示,目前63納米已開始大量投片,預(yù)計(jì)6月有30%產(chǎn)出會(huì)是63納米制程產(chǎn)品,7月就會(huì)全線轉(zhuǎn)進(jìn)63納米制程,等下半年浸潤式機(jī)臺(tái)陸續(xù)到位后,會(huì)再逐漸轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程。
瑞晶原本計(jì)劃在2010年底之前,旗下12寸晶圓廠8萬片產(chǎn)能會(huì)全轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程,但因?yàn)榻櫴綑C(jī)臺(tái)交貨的時(shí)間點(diǎn)比預(yù)期晚上2~3個(gè)月,因此內(nèi)部經(jīng)過評(píng)估,年底前8萬片全轉(zhuǎn)45納米制程的目標(biāo)無法達(dá)陣,將會(huì)遞延1季,預(yù)計(jì)要到2011年第1季才會(huì)全轉(zhuǎn)完。
此外,力晶下半年也將加入45納米制程大戰(zhàn),但投片和量產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)大約會(huì)比瑞晶晚上1季。
在南亞科和華亞科陣營方面,則仍是預(yù)定下半年會(huì)轉(zhuǎn)進(jìn)42納米制程,此技術(shù)是由美光(Micron)和南亞科共同研發(fā)。
再者,韓系大廠在40納米世代制程進(jìn)度上,仍是呈現(xiàn)領(lǐng)先態(tài)勢,三星和海力士(Hynix)將分別轉(zhuǎn)進(jìn)46納米和44納米制程,下半年可望大量出貨,但全球真正40納米世代之戰(zhàn),時(shí)間點(diǎn)會(huì)是在2011年,屆時(shí)登場的主流產(chǎn)品會(huì)是2Gb容量的DDR3芯片。
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RAM
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