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日月鴻科技股份有限公司

時間：2010-06-07 18:02:00

關(guān)鍵字： DDR DRAM 內(nèi)存芯片

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[導(dǎo)讀]日月鴻科技成立于2006年6月，為日月光半導(dǎo)體和力晶半導(dǎo)體合資成立的IC 封裝與測試服務(wù)廠，股東包括日月光半導(dǎo)體(2311)，持股約56%，以及力晶半導(dǎo)體，持股約20%，以及力晶集團(tuán)轉(zhuǎn)投資公司力信投資和瑞旺投資，持股分別

日月鴻科技成立于2006年6月，為日月光半導(dǎo)體和力晶半導(dǎo)體合資成立的IC 封裝與測試服務(wù)廠，股東包括日月光半導(dǎo)體(2311)，持股約56%，以及力晶半導(dǎo)體，持股約20%，以及力晶集團(tuán)轉(zhuǎn)投資公司力信投資和瑞旺投資，持股分別為6.79%和1.63%，日月光集團(tuán)加力晶集團(tuán)合計持股達(dá)84%。公司訂于2010年6月18日登錄興柜股票，代碼3620。

以DDRII、DDRIII 封裝及測試為主。開發(fā)中及計劃開發(fā)之新商品：

A.次世代動態(tài)隨機(jī)內(nèi)存封裝(Next generation DRAM package)
為滿足計算機(jī)硬件未來對高速度及高密度DRAM 封裝的需求，本公司積極研發(fā)與評估各種符合次世代DRAM 規(guī)格之封裝，以達(dá)成技術(shù)領(lǐng)先并提高公司競爭力。

B.晶圓級芯片尺寸封裝(Wafer Level Chip Scale Package, WLCSP )。

晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)即是指大多數(shù)或是全部的封裝制程都以晶圓級執(zhí)行的一種封裝技術(shù)?？煽s小封裝尺寸及改善熱傳導(dǎo)性能，并有低成本的優(yōu)勢，為未來高速度DRAM 可能封裝之一。

C.覆晶芯片尺寸封裝 (Flip Chip Chip Scale Package, FCCSP)
為擁有較佳之電氣性能且具低成本之覆晶封裝，為未來高速度DRAM 可能封裝之一。

公司主要業(yè)務(wù)為內(nèi)存封裝、加工、測試及銷售，包括DDRII、DDRIII、NOR Flash、Nand Flash。在內(nèi)存后端封裝測試產(chǎn)業(yè)，主流DDRII采用的是閘球數(shù)組封裝技術(shù)（BGA），而DDRIII仍將沿用此封裝技術(shù)，但在測試端的部份，DRAM世代交替至DDRIII 后，頻率速度高達(dá)1066MHz 至1333MHz，業(yè)者需要購買新測試機(jī)臺，才能滿足更快速的頻率需求，而公司測試機(jī)臺則可繼續(xù)支持功能測試。另在消費電子部分，主要使用NAND或NOR 等FLASH 芯片，依應(yīng)用的不同有TSOP / SOP / BGA / MCP 等不同封裝需求。

內(nèi)存封裝與測試，主要客戶為力晶，占營收9成以上。

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