力晶聚焦NAND Flash挑戰(zhàn)20納米
[導(dǎo)讀]近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NANDFlash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NANDFlash市場，3方人馬點燃臺灣NANDFlash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NANDFlash產(chǎn)業(yè)
近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NANDFlash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NANDFlash市場，3方人馬點燃臺灣NANDFlash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NANDFlash產(chǎn)業(yè)6年來投入新臺幣70億元，是臺灣血統(tǒng)最純正技術(shù)，目前力晶NANDFlash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍晚1個世代，但若未來成功走向20納米制程，對臺灣NANDFlash研發(fā)是很大突破。
事實上，力晶NANDFlash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renesas)，瑞薩原由日立(Hitachi)分割出來，最早日立和東芝(Toshiba)在競爭NANDFlash技術(shù)時，日立選擇AG-ANDFlash架構(gòu)開發(fā)，但到90納米制程后，瑞薩決定放棄NANDFlash產(chǎn)品線，當(dāng)時力晶選擇接手技術(shù)和專利，從75納米切入一路開發(fā)至今。
力晶投入NANDFlash產(chǎn)品研發(fā)已達(dá)6年，投入研發(fā)資金高達(dá)70億元，過去都將資源放在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，2010年起因應(yīng)多元化產(chǎn)品策略，開始將重心放在NANDFlash產(chǎn)品上。黃崇仁表示，力晶承襲瑞薩NANDFlash技術(shù)，是最正統(tǒng)NANDFlash技術(shù)架構(gòu)，與國際大廠三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)等技術(shù)層次最為接近，目前NANDFlash產(chǎn)品已在出貨中，2010年下半將轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程，高容量16Gb產(chǎn)品將問世。
黃崇仁指出，目前力晶NANDFlash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍是晚1個世代，但若未來成功走向20納米制程，對臺灣NANDFlash技術(shù)研發(fā)是很大突破，因為現(xiàn)在很多大廠20納米都還未確定可行，未來力晶NANDFlash會朝利基型市場發(fā)展，不會與國際大廠既有市場硬碰硬。
另外，TIMC日前亦藉由NANDFlash產(chǎn)品重起爐灶，獲得經(jīng)濟(jì)部補助，將與茂德、晶豪合攻NANDFlash市場，技術(shù)是引進(jìn)美商IC設(shè)計公司NanoStar技術(shù)，號稱可避開現(xiàn)有NANDFlash大廠專利，為臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)建立自有技術(shù)，目前已在茂德中科12寸晶圓廠進(jìn)行試產(chǎn)。
至于旺宏對于從NORFlash跨入NANDFlash產(chǎn)業(yè)亦相當(dāng)積極，采用自行研發(fā)技術(shù)，預(yù)計2010年便可從75納米制程切入試水溫，第2階段將導(dǎo)入57納米制程，預(yù)估2010年下半NANDFlash產(chǎn)品線開始貢獻(xiàn)營收。
事實上，力晶NANDFlash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renesas)，瑞薩原由日立(Hitachi)分割出來，最早日立和東芝(Toshiba)在競爭NANDFlash技術(shù)時，日立選擇AG-ANDFlash架構(gòu)開發(fā)，但到90納米制程后，瑞薩決定放棄NANDFlash產(chǎn)品線，當(dāng)時力晶選擇接手技術(shù)和專利，從75納米切入一路開發(fā)至今。
力晶投入NANDFlash產(chǎn)品研發(fā)已達(dá)6年，投入研發(fā)資金高達(dá)70億元，過去都將資源放在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，2010年起因應(yīng)多元化產(chǎn)品策略，開始將重心放在NANDFlash產(chǎn)品上。黃崇仁表示，力晶承襲瑞薩NANDFlash技術(shù)，是最正統(tǒng)NANDFlash技術(shù)架構(gòu)，與國際大廠三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)等技術(shù)層次最為接近，目前NANDFlash產(chǎn)品已在出貨中，2010年下半將轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程，高容量16Gb產(chǎn)品將問世。
黃崇仁指出，目前力晶NANDFlash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍是晚1個世代，但若未來成功走向20納米制程，對臺灣NANDFlash技術(shù)研發(fā)是很大突破，因為現(xiàn)在很多大廠20納米都還未確定可行，未來力晶NANDFlash會朝利基型市場發(fā)展，不會與國際大廠既有市場硬碰硬。
另外，TIMC日前亦藉由NANDFlash產(chǎn)品重起爐灶，獲得經(jīng)濟(jì)部補助，將與茂德、晶豪合攻NANDFlash市場，技術(shù)是引進(jìn)美商IC設(shè)計公司NanoStar技術(shù)，號稱可避開現(xiàn)有NANDFlash大廠專利，為臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)建立自有技術(shù)，目前已在茂德中科12寸晶圓廠進(jìn)行試產(chǎn)。
至于旺宏對于從NORFlash跨入NANDFlash產(chǎn)業(yè)亦相當(dāng)積極，采用自行研發(fā)技術(shù)，預(yù)計2010年便可從75納米制程切入試水溫，第2階段將導(dǎo)入57納米制程，預(yù)估2010年下半NANDFlash產(chǎn)品線開始貢獻(xiàn)營收。
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