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臺(tái)積電18寸晶圓廠投資啟動(dòng) 2015年20奈米量產(chǎn)

時(shí)間：2011-02-12 16:14:46

關(guān)鍵字：臺(tái)積電晶圓廠 CSR 制程技術(shù)

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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(2011)年資本支出將達(dá)78億美元，年增31.4%，主要以提高研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)力為主，公司也在年關(guān)過(guò)后宣布，啟動(dòng)18寸晶圓廠投資計(jì)劃，預(yù)計(jì)于2013年導(dǎo)入試產(chǎn)線，2015年以20奈米開始量產(chǎn)。由于先進(jìn)制程客

臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(2011)年資本支出將達(dá)78億美元，年增31.4%，主要以提高研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)力為主，公司也在年關(guān)過(guò)后宣布，啟動(dòng)18寸晶圓廠投資計(jì)劃，預(yù)計(jì)于2013年導(dǎo)入試產(chǎn)線，2015年以20奈米開始量產(chǎn)。

由于先進(jìn)制程客戶需求強(qiáng)勁，臺(tái)積電也指出，降低客戶成本，就可提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，相對(duì)的客戶下單量也會(huì)增加，進(jìn)一步就鞏固了臺(tái)積電的市占率。因此，臺(tái)積電率先啟動(dòng)18寸晶圓廠投資計(jì)劃，預(yù)料將以20奈米導(dǎo)入，制程技術(shù)將超越英特爾的22奈米，也成為繼英特爾之后，全球第2家投資18寸廠確定的半導(dǎo)體大廠。

此外，臺(tái)積電也和無(wú)線連接、定位與音訊平臺(tái)領(lǐng)導(dǎo)廠商CSR擴(kuò)大合作關(guān)系，CSR已采用臺(tái)積電先進(jìn)的90奈米嵌入式快閃記憶體制程技術(shù)、矽智財(cái)與射頻CMOS制程推出新一代的無(wú)線產(chǎn)品，比上一代0.18微米制程技術(shù)與矽智財(cái)快2倍，非常符合可攜式通訊、智慧卡，和高速微控制器等應(yīng)用的需求。

臺(tái)積電全球業(yè)務(wù)暨行銷資深副總經(jīng)理陳俊圣指出，此次與CSR的技術(shù)合作是臺(tái)積電促進(jìn)歐洲邏輯IC創(chuàng)新承諾的例證，臺(tái)積的90奈米嵌入式快閃記憶體制程技術(shù)與矽智財(cái)支援高效能、低功耗和高密度記憶體，搭配本公司射頻CMOS制程，協(xié)助CSR推出新一代系統(tǒng)單晶片產(chǎn)品。

CSR營(yíng)運(yùn)執(zhí)行副總裁ChrisLadas強(qiáng)調(diào)，CSR和臺(tái)積電在這次90奈米嵌入式快閃記憶體制程技術(shù)的密切合作，使得CSR維持領(lǐng)先開發(fā)彈性、整合度高的SoC平臺(tái)，為消費(fèi)性電子音訊應(yīng)用提供杰出的系統(tǒng)效能和最小尺寸的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

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或?qū)⑸a(chǎn)先進(jìn)制程工藝，臺(tái)積電在日本擴(kuò)充產(chǎn)能

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關(guān)鍵字：臺(tái)積電日本

[通信先鋒]

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早前，就有消息稱臺(tái)積電或?qū)⒃?月份正式量產(chǎn)3nm工藝，預(yù)計(jì)于第三季下旬投片量將會(huì)有一個(gè)大幅度的拉升，而第四季度的投片量會(huì)達(dá)到上千的水準(zhǔn)并且正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電三星芯片半導(dǎo)體

[通信先鋒]

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關(guān)鍵字：臺(tái)積電 3nm

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[通信先鋒]

基于臺(tái)積電16nm工藝，俄羅斯S1000芯片胎死腹中

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關(guān)鍵字：臺(tái)積電 16nm 俄羅斯 S1000 芯片

[通信先鋒]

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關(guān)鍵字：專利侵權(quán) 三星臺(tái)積電高通公司 337調(diào)查 USITC

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關(guān)鍵字：芯片臺(tái)積電 5G設(shè)備

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關(guān)鍵字：英特爾臺(tái)積電蘋果

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關(guān)鍵字：三星臺(tái)積電芯片 1.4nm