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產(chǎn)能先進(jìn)制程推升明年臺(tái)積電市占升至52%

時(shí)間：2010-12-27 13:14:50

關(guān)鍵字：臺(tái)積電先進(jìn)制程晶圓代工中芯

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[導(dǎo)讀]晶圓代工版圖競(jìng)爭(zhēng)激烈，目前臺(tái)積電持續(xù)以50%的市占率穩(wěn)居龍頭寶座，隨著擴(kuò)產(chǎn)腳步加速，以及先進(jìn)制程擴(kuò)大領(lǐng)先幅度，臺(tái)積電2011年市占率可望提升至52%，強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一的全球晶圓(GlobalFoundries)在合并特許以及大幅

晶圓代工版圖競(jìng)爭(zhēng)激烈，目前臺(tái)積電持續(xù)以50%的市占率穩(wěn)居龍頭寶座，隨著擴(kuò)產(chǎn)腳步加速，以及先進(jìn)制程擴(kuò)大領(lǐng)先幅度，臺(tái)積電2011年市占率可望提升至52%，強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一的全球晶圓(GlobalFoundries)在合并特許以及大幅擴(kuò)充12寸產(chǎn)能下，市占率也站穩(wěn)12%，緊追聯(lián)電的15%。

根據(jù)DIGITIMESResearch預(yù)估，2010年晶圓代工市場(chǎng)中，臺(tái)積電以50%的市占率，穩(wěn)居第1；臺(tái)積電2007年市占率約47%，自2008年站上50%后，連續(xù)3年維持50%。至于聯(lián)電與中芯2010年皆與2009年持平分別為15%與6%。全球晶圓合并特許半導(dǎo)體后，2010年市占率預(yù)估將由2009年的9%提升至12%。

由此可看出，自2008~2010年前4大晶圓代工廠市占率并無(wú)顯著變化，不過(guò)4大代工廠外的其它業(yè)者合計(jì)市占率則由2008年的22%，將下滑至2010年的17%。半導(dǎo)體業(yè)者指出，晶圓代工產(chǎn)業(yè)需求龐大的資本投資，尤其先進(jìn)制程需要長(zhǎng)年累月的技術(shù)，大者愈大趨勢(shì)已相當(dāng)明顯。

展望2011年，臺(tái)積電在先進(jìn)制程推進(jìn)上加速，40納米第4季占營(yíng)收比重將達(dá)20%；產(chǎn)能方面，臺(tái)積電2011年12寸產(chǎn)能將增加30%，雖然聯(lián)電、全球晶圓也積極擴(kuò)充，但仍不及臺(tái)積電的成長(zhǎng)幅度，因此臺(tái)積電2011年仍將是IDM委外釋單的最大受惠者，因此預(yù)估臺(tái)積電2011年市占率將提高至52%。

全球晶圓積極擴(kuò)充12寸產(chǎn)能，新加坡Fab7目前月產(chǎn)能約4.2萬(wàn)片，2011年中將擴(kuò)增至5萬(wàn)片；德國(guó)Fab1目前月產(chǎn)能在3萬(wàn)片左右，2011年底將達(dá)4.5萬(wàn)片，預(yù)估2012年中將擴(kuò)增至8萬(wàn)片。至于位于紐約的Fab8，于2009年7月動(dòng)土，預(yù)估2012年底完工投產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)能6萬(wàn)片。在擴(kuò)產(chǎn)及新客戶帶動(dòng)下，全球晶圓2011年市占率將維持在12%。

至于大陸晶圓代工廠中芯2007年市占率約8%，然自2008年至2010年都維持在6%；中芯與臺(tái)積電的訴訟案也告一段落，自2010年第2季終結(jié)連12季的虧損，，并進(jìn)入65納米制程量產(chǎn)，并取得IBM授權(quán)45/40納米技術(shù)授權(quán)，預(yù)計(jì)于2011年進(jìn)入量產(chǎn)，加入40納米戰(zhàn)局。中芯營(yíng)運(yùn)逐漸好轉(zhuǎn)，不過(guò)技術(shù)仍相對(duì)落后前3大競(jìng)爭(zhēng)者，因此短期要見(jiàn)到市占率明顯提升恐怕不易。

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