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[導讀]整合元件廠(IDM)在金融海嘯后,輕晶圓廠(Fab-Lite)路線更確立,以往歐美IDM廠為臺系晶圓代工廠訂單主力,但近年來日本IDM廠釋單力道增強,尤其在先進制程動作最為積極,半導體業(yè)者預期,2011年日本IDM廠對臺釋單效應

整合元件廠(IDM)在金融海嘯后,輕晶圓廠(Fab-Lite)路線更確立,以往歐美IDM廠為臺系晶圓代工廠訂單主力,但近年來日本IDM廠釋單力道增強,尤其在先進制程動作最為積極,半導體業(yè)者預期,2011年日本IDM廠對臺釋單效應將更明顯,未來日本將與大陸共同成為臺系晶圓代工廠成長重要市場。

臺積電董事長張忠謀向來看好IDM廠委外趨勢,在第2季法說會中他特別指出,雖然2009年臺積電在大陸業(yè)務營收首度超越日本市場,但2010年臺積電在日本業(yè)務出現(xiàn)令人驚喜的巨大增長,因此,盡管大陸市場持續(xù)走強,但日本市場營收貢獻仍將占較大比重。

聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉指出,金融海嘯后IDM廠加大委外釋單力道,且在諸多領域都有看到IDM廠釋單。全球晶圓(GlobalFoundries)執(zhí)行長DouglasGrose則認為,為求生存與成長,愈來愈多IDM廠勢必將采行輕晶圓廠策略,外包趨勢將持續(xù)下去,代工廠必將受惠。

以臺積電來說,第2季來自日本地區(qū)營收比重由首季4%提升到5%,較2009年同期3%成長;至于第2季來自大陸地區(qū)營收比重為3%,較首季2%提升1個百分點,與2009年第2季持平。張忠謀亦強調,IDM委外趨勢將持續(xù)不衰,未來10年內幾乎所有IDM廠都將轉型成為無晶圓廠或極輕晶圓廠(FabVeryLite),超越摩爾相關技術更是IDM廠委外最主要產品領域。

2010年以來日本IDM廠積極與臺系晶圓代工廠進行合作,包括瑞薩陸續(xù)關閉舊廠房,停止28奈米以下制程投資,并將28奈米以下制程芯片委由臺積電與全球晶圓生產。富士通(Fujitsu)則于2010年開始在臺積電生產40奈米芯片,并將與臺積電合作28奈米制程邏輯芯片。

不過,由于40奈米以下先進制程目前占整體晶圓代工產值仍不高,28奈米從2010年下半才開始進入量產,因此,日系IDM廠對晶圓代工廠釋單效應在2010年仍只是起步,業(yè)界預期到2011年將會有顯著成長。

大陸方面,隨著大陸IC設計業(yè)崛起,廠商家數(shù)不斷增加,技術實力提升,未來勢必將面臨先進制程生產考驗,中芯國際剛宣布量產65奈米制程,40奈米則要到2011年下半,而這些先進制程芯片設計,臺積電、聯(lián)電仍會是最大受惠者。因此,在日本與大陸成為成長雙引擎前提下,臺積電、聯(lián)電2010年大舉提高資本支出,有其必要性。

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