[導(dǎo)讀]臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科在50納米制程轉(zhuǎn)換吃足苦頭,第2季仍處于虧損狀態(tài),近期決定全面加速轉(zhuǎn)進(jìn)42納米,南亞科42納米制程更將搶先在2010年第4季進(jìn)入量產(chǎn),全力轉(zhuǎn)虧為盈,并共同宣布三度上修資本支出,南亞
臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科在50納米制程轉(zhuǎn)換吃足苦頭,第2季仍處于虧損狀態(tài),近期決定全面加速轉(zhuǎn)進(jìn)42納米,南亞科42納米制程更將搶先在2010年第4季進(jìn)入量產(chǎn),全力轉(zhuǎn)虧為盈,并共同宣布三度上修資本支出,南亞科從新臺(tái)幣220億元提升至300億元,華亞科則從520億元提升至580億元,2010年合計(jì)資本支出近900億元,讓其它DRAM廠望塵莫及。
南亞科和華亞科2010年從奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)70納米溝槽式(Trench)技術(shù),轉(zhuǎn)進(jìn)至美光(Micron)50納米堆疊式(Stack)技術(shù),可說(shuō)是吃足苦頭,眼睜睜看著爾必達(dá)(Elpida)陣營(yíng)的力晶和瑞晶上半年交出亮麗獲利成績(jī)單,南亞科和華亞科第2季仍處于虧損,因此,2家公司決定加速42納米制程量產(chǎn),將成本降到最低,試圖挽回獲利。其中,南亞科與美光共同研發(fā)42納米制程是50納米微縮版,已在6月初試產(chǎn),并于7月成功產(chǎn)出,預(yù)計(jì)第4季進(jìn)入量產(chǎn)。
南亞科和華亞科同步宣布三度調(diào)高2010年資本支出,創(chuàng)下金融風(fēng)暴之后,臺(tái)系存儲(chǔ)器廠資本支出連3升的紀(jì)錄,主要便是為將42納米進(jìn)度提前,將機(jī)臺(tái)設(shè)備先拉進(jìn)來(lái)。其中,南亞科2010年初最早預(yù)定資本支出僅190億元,之后調(diào)升到220億元,近期最新出爐版本是300億元,南亞科計(jì)劃在第3季底辦理上限6億股現(xiàn)金增資,是2009年至今南亞科第4次大手筆募資計(jì)畫(huà)。
華亞科2010年初原本規(guī)劃資本支出為450億元,之后提升至520億元,近期宣布三度提升至580億元,將部分2011年資本支出提前到2010年來(lái)執(zhí)行,目的亦是為提早42納米制程量產(chǎn)計(jì)畫(huà),華亞科計(jì)劃9月試產(chǎn)42納米,2011年中大量轉(zhuǎn)進(jìn)。
值得注意的是,針對(duì)40納米世代應(yīng)采用銅制程或鋁制程,美光和爾必達(dá)陣營(yíng)看法不同,南亞科表示,42納米DRAM制程導(dǎo)入銅制程技術(shù),其銅的導(dǎo)電性和可靠度均遠(yuǎn)優(yōu)于鋁制程,在未來(lái)更進(jìn)一步微縮制程上,銅制程絕對(duì)更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。另外,50納米制程相較于70納米可降低50%成本,而導(dǎo)入42納米制程后,制造成本將比50納米再降低30%,待2010年底大量轉(zhuǎn)進(jìn)42納米制程,成本結(jié)構(gòu)將相當(dāng)具競(jìng)爭(zhēng)力。
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DRAM
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三星
LPDDR5
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買(mǎi)方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu),導(dǎo)致供應(yīng)商庫(kù)存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí),各DRAM供應(yīng)...
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消費(fèi)性
DRAM
智能手機(jī)
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DRAM
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三星
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存儲(chǔ)
三星
NAND
DRAM
據(jù)韓媒報(bào)道,在日前舉辦的行業(yè)活動(dòng)上,IDC韓國(guó)副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計(jì),存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示,今年的市場(chǎng)需求較最初預(yù)期更為糟糕,預(yù)計(jì)來(lái)年三季度DRAM和NAN...
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SSD
DRAM
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與其他類(lèi)型的半導(dǎo)體相比,存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭(zhēng)廠商數(shù)量更多,而且芯片本身的差異化程度較低,這使得存儲(chǔ)芯片更加商品化,對(duì)需求變化也就更加敏感。存儲(chǔ)芯片通常是第一個(gè)感受到需求變化并出現(xiàn)價(jià)格下跌的組件。
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DRAM
Sep. 22, 2022 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買(mǎi)方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu),導(dǎo)致供應(yīng)商庫(kù)...
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TrendForce集邦咨詢
DRAM
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DRAM
可持續(xù)發(fā)展
INSIGHT
手機(jī)
9月13日消息,據(jù)報(bào)道,美國(guó)存儲(chǔ)芯片公司美光科技在愛(ài)達(dá)荷州博伊西市的一座價(jià)值150億美元的工廠周一破土動(dòng)工。另外,公司還宣布另一家在美國(guó)的新工廠也即將開(kāi)工,具體的將在未來(lái)幾周宣布。
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美國(guó)
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Aug. 29, 2022 ---- 由于過(guò)去兩年疫情造成生活形態(tài)改變,遠(yuǎn)程教育需求增長(zhǎng),電子產(chǎn)品銷(xiāo)售暢旺,帶動(dòng)DRAM模組的出貨增長(zhǎng),據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì),2021年全球DRAM模組市場(chǎng)整體銷(xiāo)售額達(dá)181...
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8月20日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域業(yè)務(wù)廣泛的三星電子,在終端產(chǎn)品及關(guān)鍵零部件方面都實(shí)力強(qiáng)勁,他們也是當(dāng)前全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商,在DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的份額都遠(yuǎn)高于其他廠商。
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三星
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面板
存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支,約占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的四分之一至三分之一。存儲(chǔ)器已經(jīng)形成主要由DRAM與Flash構(gòu)成的超千億美元的市場(chǎng)。盡管存儲(chǔ)器產(chǎn)品品類(lèi)眾多,但從產(chǎn)品營(yíng)收貢獻(xiàn)的角度來(lái)看,DRAM和Flash(NAND、N...
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ReRAM
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高性能低功耗DRAM和UFS解決方案是打造下一代ADAS域控制器和車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)的關(guān)鍵
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美國(guó)日前宣布了總額2800多億美元的科技補(bǔ)貼法案,其中針對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域的就有520多億美元,開(kāi)始給美國(guó)的芯片行業(yè)輸血補(bǔ)貼,美光公司也是被邀請(qǐng)參與的企業(yè)之一,作為對(duì)官方補(bǔ)貼的回報(bào),美光也宣布了400億美元的投資計(jì)劃。
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美光
芯片
半導(dǎo)體
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DRAM
金屬氧化物抗蝕劑
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Jul. 13, 2022 ---- 美光(Micron)位于Hiroshima的日本廠于7月8日發(fā)生跳電意外。據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,以第三季產(chǎn)能來(lái)看,該廠月產(chǎn)能占美光月產(chǎn)能約30%;若以全球產(chǎn)能來(lái)看,投片...
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美光
TrendForce集邦咨詢
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美光
DDR5服務(wù)器
用戶可使用Crucial英睿達(dá)P3 Plus Gen4或P3 Gen3 NVMe SSD升級(jí)PC,解鎖下一代性能并獲得高達(dá)4TB的容量
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美光
NVMe SSD
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美光
5400 SATA