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[導(dǎo)讀]當(dāng)下,SIP封裝市場(chǎng)異常火熱,常有讀者來(lái)郵尋問(wèn)有沒(méi)有好的SIP廠可推薦。無(wú)疑,SIP已被當(dāng)成提升集成度、解決用戶設(shè)計(jì)難題、提升產(chǎn)品容量,更重要的是突破摩爾定律制約的一個(gè)重要手段越來(lái)越受重視,而各SIP封裝廠商也是

當(dāng)下,SIP封裝市場(chǎng)異常火熱,常有讀者來(lái)郵尋問(wèn)有沒(méi)有好的SIP廠可推薦。無(wú)疑,SIP已被當(dāng)成提升集成度、解決用戶設(shè)計(jì)難題、提升產(chǎn)品容量,更重要的是突破摩爾定律制約的一個(gè)重要手段越來(lái)越受重視,而各SIP封裝廠商也是門庭若市,生意興旺。

不過(guò),并不是所有的摩爾定律難題都可通過(guò)SIP來(lái)解決,比如FPGA/PLD等I/O接口繁多的芯片如果想通過(guò)堆疊來(lái)增加容量的話,那么芯片間巨大的I/O互聯(lián)成為SIP封裝方案的最大阻礙。“就拿我們最新推出的28nm7系列FPGA來(lái)說(shuō),如果采用SIP將兩個(gè)芯片封裝在一起,其間的I/O互聯(lián)成為最大的阻礙:一方面是沒(méi)有足夠的I/O空間,目前SIP最多只能做到1,200個(gè)I/O口的互聯(lián);二是信號(hào)在FPGA芯片間傳輸時(shí)會(huì)產(chǎn)生延時(shí),降低性能;三是在多個(gè)FPGA之間用標(biāo)準(zhǔn)I/O創(chuàng)建邏輯連接會(huì)引起不必要的功耗。”賽靈思質(zhì)量管理和新產(chǎn)品導(dǎo)入全球資深副總裁湯立人解釋,“所以,我們必須尋找一種新的方法來(lái)替代SIP這種傳統(tǒng)的芯片堆疊方式。”當(dāng)然,通過(guò)大型SoC,也可以將單顆芯片的容量(邏輯單元數(shù))做得很大,但是當(dāng)采用新一代工藝時(shí),裸片越大良率越低,并且成指數(shù)級(jí)下降?!耙话銇?lái)說(shuō),需要1-2年時(shí)間才能將良率提升到較高的水平。然而,如果芯片尺寸小的話,良率就很容易提升。所以,如果能采用幾個(gè)小尺寸的FPGA集成在一起,就可在大幅提升容量和性能的情況下,成本也能很好的控制。”湯立人說(shuō)道。

這里問(wèn)題的關(guān)鍵是解決FPGA之間的I/O互聯(lián)。它需要芯片廠商、晶圓代工廠商與封裝廠商共同的合作來(lái)挑戰(zhàn)這一難題。終于,在經(jīng)過(guò)兩年多的努力后,賽靈思聯(lián)合TSMC和Amkor,共同解決了這一難題,他們通過(guò)一種稱之為“堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)(SSI,StackSiliconInterconnect)”的3D封裝方式,采用無(wú)源芯片中介層、微凸塊和硅通孔(TSV)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了多芯片在一個(gè)封裝內(nèi)的無(wú)引線互連?!巴ㄟ^(guò)微型焊球?qū)⒍嗥現(xiàn)PGA連接至無(wú)源芯片制作的硅中介層中,中介層再采用C4突塊技術(shù)連接至下一層封裝載體。硅中介層可充當(dāng)FPGA芯片間的I/O引線,提供超過(guò)一萬(wàn)個(gè)I/O接口的互聯(lián),并且由于硅中介層中相當(dāng)于內(nèi)部信號(hào)傳輸,所需時(shí)延非常小僅約為1納米,同時(shí)不需要I/O驅(qū)動(dòng)部分,所以整體功耗也大大減小?!睖⑷搜a(bǔ)充,“此外,由于硅中介層采用了已規(guī)模經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)的65nm無(wú)源工藝,所增加的成本與采用大芯片而帶來(lái)的低良率方式相比,幾乎沒(méi)有可比性?!?/FONT>

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據(jù)賽靈思的數(shù)據(jù)顯示,相對(duì)于使用SIP方式通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)I/O連接在電路板上集成兩個(gè)FPGA,堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)將單位功耗芯片間連接帶寬提升了100倍,時(shí)延減至五分之一,而且不會(huì)占用任何高速串行或并行I/O資源。通過(guò)這種新的封裝技術(shù),賽靈思的28nm7系列FPGA已可提供高達(dá)200萬(wàn)個(gè)邏輯單元的業(yè)界最大容量,是最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品容量的2.8倍。容量的提升,使得FPGA將進(jìn)入有線或無(wú)線網(wǎng)絡(luò)的最核心部分,勝任之前不能勝任的重要工作。

SSI的主要技術(shù)突破

“其實(shí),這種思想我們?cè)缭谖迥昵熬烷_(kāi)始設(shè)計(jì),相信其它公司也有類似想法,但是其中難度很大,主要表現(xiàn)在硅通孔(TSV)技術(shù)和微凸塊組裝技術(shù)的結(jié)合上,當(dāng)然還包括我們?cè)贔PGA工藝設(shè)計(jì)上的突破。前者的最大阻礙是通孔材料的均勻注入;后者則是需要設(shè)計(jì)新的設(shè)備?!睖⑷苏f(shuō)道,“此次我們與TSMC和封裝廠商一起,攻克了這個(gè)難題?!?BR>
雖然TSV技術(shù)早在圖像傳感器和功率放大器等大批量的應(yīng)用中已得到充分的驗(yàn)證,但是此次賽靈思不但要用TSV,還要借用另一個(gè)技術(shù)——C4技術(shù),將中介層連接至下一層載體。C4技術(shù)最初由IBM開(kāi)發(fā),主要用于高性能的計(jì)算機(jī)系統(tǒng),較大的焊球能吸收芯片基板和下一級(jí)載體之間的熱應(yīng)力?!半m然TSV與C4技術(shù)都是經(jīng)過(guò)業(yè)界認(rèn)證的成熟技術(shù),但是將這兩種技術(shù)結(jié)合在一起用于FPGA上,不僅需要?jiǎng)?chuàng)造性,而且還需要高超的工藝支持,所以此次TSMC對(duì)這個(gè)項(xiàng)目非常重視?!睖⑷朔Q。

對(duì)于SSI封裝是否會(huì)帶來(lái)應(yīng)力引起的不穩(wěn)定性問(wèn)題,湯立人解釋由于較薄的硅中介層可有效減弱內(nèi)部堆積的應(yīng)力,一般說(shuō)來(lái)堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)封裝架構(gòu)的內(nèi)部應(yīng)力低于同等尺寸的單個(gè)倒裝BGA封裝,這就降低了封裝的最大塑性應(yīng)變,熱機(jī)械性能也隨之得以提升,所以SSI是可靠的,可行的?!八淖畲筇攸c(diǎn)是,對(duì)于用戶來(lái)說(shuō),SSI芯片就相當(dāng)于一個(gè)大的FPGA芯片,對(duì)用戶完全透明。”他解釋,ISE軟件可自動(dòng)將設(shè)計(jì)分配到FPGA芯片中,無(wú)需任何用戶干預(yù)。如果需要,客戶也可在特定FPGA芯片中進(jìn)行邏輯布局規(guī)劃。如果用戶沒(méi)有要求,軟件工具可讓算法智能地在FPGA芯片內(nèi)放置相關(guān)邏輯,并遵循芯片間和芯片內(nèi)的連接和時(shí)序規(guī)則。支持新型SSI封裝的ISE設(shè)計(jì)工具已面向早期使用客戶提供,首批產(chǎn)品Virtex-72000T(容量高達(dá)200萬(wàn)個(gè)邏輯單元)預(yù)計(jì)將于2011年下半年推出。

值得一提的是,雖然此次推出的SSI上集成的是四顆特性類似、門數(shù)相當(dāng)?shù)腇PGA的堆疊,但未來(lái)也完全可用于實(shí)現(xiàn)將不同特性的FPGA芯片集成在一起,比如SERDES、高密度CAM以及ARM處理器引擎等。更進(jìn)一步,還可將ASSP與FPGA封裝在一起,成為可編程的ASSP器件,“SSI技術(shù)的意義在于它打開(kāi)了一扇門、一扇通往極高容量、極高性能且低成本,最重要的是不受摩爾定律制約的大門?!闭缳愳`思亞太區(qū)市場(chǎng)及應(yīng)用總監(jiān)張宇清特別強(qiáng)調(diào)說(shuō)。

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