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SICAS：2010年Q2的半導(dǎo)體生產(chǎn)線整體開(kāi)工率達(dá)95.6％

時(shí)間：2010-08-20 15:06:16

關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 SIC 晶圓半導(dǎo)體廠商

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[導(dǎo)讀]日前，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)（SICAS）2010年第二季度(4～6月)的半導(dǎo)體產(chǎn)能公布。雖然部分半導(dǎo)體廠商已經(jīng)開(kāi)始了增產(chǎn)投資，但因老生產(chǎn)線廢棄，晶圓處理能力未能大幅提高。在這種情況下，由于晶圓投入量增加，半導(dǎo)體的整體

日前，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)（SICAS）2010年第二季度(4～6月)的半導(dǎo)體產(chǎn)能公布。雖然部分半導(dǎo)體廠商已經(jīng)開(kāi)始了增產(chǎn)投資，但因老生產(chǎn)線廢棄，晶圓處理能力未能大幅提高。在這種情況下，由于晶圓投入量增加，半導(dǎo)體的整體開(kāi)工率達(dá)到了可以說(shuō)是滿負(fù)荷的95％以上。一部分甚至超過(guò)了98％，呈“超滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)”狀態(tài)。

晶圓處理能力方面，半導(dǎo)體整體為同比（YoY）減少0.2％，環(huán)比（QoQ）增長(zhǎng)0.6％，MOSIC整體為同比增長(zhǎng)0.1％，環(huán)比增長(zhǎng)0.6％，繼續(xù)持平。旨在從0.12～0.06μm生產(chǎn)線向0.06μm以下生產(chǎn)線過(guò)渡的細(xì)微化投資十分活躍，但是為擴(kuò)大晶圓處理能力的增產(chǎn)投資卻稍顯遜色：其沖抵了老生產(chǎn)線廢棄導(dǎo)致的晶圓處理能力下降。增產(chǎn)投資的實(shí)施，從半導(dǎo)體廠商的企業(yè)形態(tài)看，主要是硅代工廠商，從晶圓直徑來(lái)看，主要面向300mm晶圓進(jìn)行。而在硅代工廠商之外的垂直整合型半導(dǎo)體廠商（IDM）因進(jìn)行重組，廢棄了200mm以下的量產(chǎn)線。

晶圓的實(shí)際投入量方面，除部分特例外，均持續(xù)了YoY增20～30％、QoQ增近10％的增長(zhǎng)率。其中，從半導(dǎo)體廠商的企業(yè)形態(tài)來(lái)看，硅代工廠商的增長(zhǎng)率比較顯著，而從工藝技術(shù)來(lái)看，60nm以下工藝的增長(zhǎng)率較為顯著。硅代工廠商的投入量為YoY增67.8％，QoQ增10.6％，達(dá)到40萬(wàn)2200片/周（以200mm晶圓換算，下同）。60nm以下工藝晶圓的投入量為QoQ增13.0％，達(dá)到78萬(wàn)500片/周。

綜上所述，半導(dǎo)體整體的量產(chǎn)線開(kāi)工率為YoY增18.6個(gè)百分點(diǎn)，QoQ增2.1個(gè)百分點(diǎn)，達(dá)到95.6％，MOSIC整體為YoY增17.1個(gè)百分點(diǎn)，QoQ增長(zhǎng)2.5個(gè)百分點(diǎn)，達(dá)到95.7％，均超過(guò)了95％。尤其是需求量較大的80nm以下工藝、300mm晶圓以及硅代工廠商的開(kāi)工率更是達(dá)到了超過(guò)98％的“超滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)”狀態(tài)。

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