當(dāng)前位置：首頁(yè) > 模擬 > 模擬

力成去年?duì)I收、EPS均創(chuàng)新高，Q4有匯損侵蝕

時(shí)間：2011-01-25 18:45:00

關(guān)鍵字： EPS DRAM Flash MCP

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]全球最大記憶體封測(cè)廠力成(6239)今日舉行第四季法人說(shuō)明會(huì)，董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，2010年，力成不論是營(yíng)收以及獲利表現(xiàn)均創(chuàng)下歷年來(lái)新高，EPS達(dá)10.53元，而單就第四季來(lái)看，受到匯率因素影響，毛利率下滑至25.1%，稅后凈

全球最大記憶體封測(cè)廠力成(6239)今日舉行第四季法人說(shuō)明會(huì)，董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，2010年，力成不論是營(yíng)收以及獲利表現(xiàn)均創(chuàng)下歷年來(lái)新高，EPS達(dá)10.53元，而單就第四季來(lái)看，受到匯率因素影響，毛利率下滑至25.1%，稅后凈利18.16億元，較上季減少12.4%，EPS2.5元。

力成公布2010年第四季獲利自結(jié)數(shù)，第四季合并營(yíng)收100.57億元，較上季增加2.2%；營(yíng)業(yè)毛利75.36億元，季減8.6%；毛利率從上一季的28%下滑至25.1%；營(yíng)業(yè)凈利20.53億元，較上季減少11.5%；稅后凈利18.16億元，較上季減少12.4%，EPS2.5元。

力成總經(jīng)理廖忠機(jī)表示，2010年第四季毛利率下滑主要受到匯率的影響，以力成來(lái)說(shuō)，新臺(tái)幣兌美元每升值1元的話，約侵蝕毛利率2個(gè)百分點(diǎn)，而統(tǒng)計(jì)2010年第四季新臺(tái)幣兌美元升值1.4元，因此影響毛利率約2.8個(gè)百分點(diǎn)。

以力成2010年全年度來(lái)看，合并營(yíng)收378.3億元，年增率26.2%；營(yíng)業(yè)毛利102.52億元，年增率42.9%；毛利率27.1%，優(yōu)于前一年度23.9%；營(yíng)業(yè)利益85.67億元，年增44.8%；營(yíng)業(yè)利益率22.6%，亦高于前年度19.8%的水準(zhǔn)；稅后凈利76.47億元，年增54.4%，EPS10.53元。

另外，力成2010年第四季，封裝與測(cè)試的營(yíng)收比重分別占66%、34%，與上一季相當(dāng)。以產(chǎn)品結(jié)構(gòu)區(qū)分，DRAM占75%，較上一季73%略增；Flash則從上一季的26%略減至24%、邏輯IC維持1%的比重。

若從2010年第四季的封裝技術(shù)所占封裝營(yíng)收比例來(lái)看，其中BGA仍為大宗，比重占66%；MCP占17%、SIP占10%、TSOP7%。

本站聲明：本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點(diǎn)，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專(zhuān)欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。

換一批

下好創(chuàng)新"先手棋"，安集科技功能性濕電子化學(xué)品持續(xù)發(fā)力

上海2022年10月19日 /美通社/ -- 10月17日晚間，安集科技披露業(yè)績(jī)預(yù)告。今年前三季度，公司預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入7.54億元至8.33億元，同比增長(zhǎng)60.24%至77.03%；歸母凈利潤(rùn)預(yù)計(jì)為1.73億...

關(guān)鍵字：電子安集科技 BSP EPS

[美通社全球TMT]

三星LPDDR5X DRAM運(yùn)行速度可達(dá)8.5 Gbps

（全球TMT2022年10月18日訊）10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過(guò)驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon?）移動(dòng)平臺(tái)上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過(guò)...

關(guān)鍵字： DRAM GBPS 三星 LPDDR5

[痞子衡嵌入式]

串行NOR Flash執(zhí)行性能的究極模式 - QPI/OPI

我們知道 Flash 讀時(shí)序里有五大子序列 CMD + ADDR + MODE + DUMMY + READ，前面的文章中痞子衡講過(guò)《串行NOR Flash的Continuous read模式》，Continuous r...

關(guān)鍵字： CMD ADDR Flash

[TrendForce集邦]

研報(bào)丨消費(fèi)性需求不見(jiàn)起色，供應(yīng)鏈庫(kù)存仍高，第四季DRAM價(jià)格跌幅擴(kuò)大至13~18%

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，在高通脹影響下，消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟，旺季不旺，第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買(mǎi)方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu)，導(dǎo)致供應(yīng)商庫(kù)存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供應(yīng)...

關(guān)鍵字：消費(fèi)性 DRAM 智能手機(jī)

[產(chǎn)業(yè)新聞]

8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運(yùn)行速度創(chuàng)新高

- 在驍龍（Snapdragon）移動(dòng)平臺(tái)上，三星以8.5Gbps的運(yùn)行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗(yàn)證，為L(zhǎng)PDDR（移動(dòng)端）內(nèi)存打開(kāi)了新市場(chǎng)。深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日，三...

關(guān)鍵字： DRAM GBPS 三星 LPDDR5

[通信先鋒]

存儲(chǔ)是主發(fā)力領(lǐng)域，三星公布未來(lái)3大規(guī)劃方向

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會(huì)上公布了未來(lái)的3大規(guī)劃方向，其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類(lèi)內(nèi)存和無(wú)晶圓廠的整體解決方案。

關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 三星 NAND DRAM

[快科技]

未來(lái)3年存儲(chǔ)很慘：SSD雪崩腰斬只是開(kāi)始 1TB不到300甚至更低？

據(jù)韓媒報(bào)道，在日前舉辦的行業(yè)活動(dòng)上，IDC韓國(guó)副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計(jì)，存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示，今年的市場(chǎng)需求較最初預(yù)期更為糟糕，預(yù)計(jì)來(lái)年三季度DRAM和NAN...

關(guān)鍵字： SSD DRAM IDC INSIGHT

[工業(yè)控制技術(shù)文庫(kù)]

科普篇：關(guān)于Flash的介紹

Flash Memory 是一種非易失性的存儲(chǔ)器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤(pán)以及主板 BIOS 中。

關(guān)鍵字： Flash 存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)

[工業(yè)控制技術(shù)文庫(kù)]

供過(guò)于求，存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)走低

與其他類(lèi)型的半導(dǎo)體相比，存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭(zhēng)廠商數(shù)量更多，而且芯片本身的差異化程度較低，這使得存儲(chǔ)芯片更加商品化，對(duì)需求變化也就更加敏感。存儲(chǔ)芯片通常是第一個(gè)感受到需求變化并出現(xiàn)價(jià)格下跌的組件。

關(guān)鍵字：存儲(chǔ)芯片半導(dǎo)體 DRAM

[TrendForce集邦咨詢(xún)]

消費(fèi)性需求不見(jiàn)起色，供應(yīng)鏈庫(kù)存仍高，第四季DRAM價(jià)格跌幅擴(kuò)大至13~18%

Sep. 22, 2022 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，在高通脹影響下，消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟，旺季不旺，第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買(mǎi)方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu)，導(dǎo)致供應(yīng)商庫(kù)...

關(guān)鍵字： TrendForce集邦咨詢(xún) DRAM