東麗開始銷售支持微細(xì)倒裝芯片封裝和三維封裝的薄膜
[導(dǎo)讀]東麗宣布開發(fā)出了用于以智能手機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品為中心廣泛采用的倒裝芯片封裝和三維封裝的薄膜，將于2011年1月正式銷售。上述用途過去采用的是底部填充樹脂。此次的薄膜與底部填充樹脂相比，具有可支持10μm以下的
東麗宣布開發(fā)出了用于以智能手機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品為中心廣泛采用的倒裝芯片封裝和三維封裝的薄膜，將于2011年1月正式銷售。上述用途過去采用的是底部填充樹脂。此次的薄膜與底部填充樹脂相比，具有可支持10μm以下的狹縫、能夠簡化封裝工藝和降低成本等優(yōu)點。該公司表示，將把使用此次薄膜的封裝技術(shù)培育成業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，從而在目前規(guī)模約為100億日元且以年均10％左右的速度持續(xù)增長的底部填充樹脂市場上奪取幾成的份額。
倒裝芯片封裝和三維封裝原來是在連接芯片與底板及芯片間的電極后填充環(huán)氧類填充樹脂。倒裝芯片封裝的具體工藝是：首先將形成了倒裝芯片用電極（凸點）的晶圓切割成單個芯片。然后，用粘片機(jī)一邊加熱一邊將朝下的芯片配置在底板上，然后通過加熱焊接等確保芯片與底板電氣連接。最后在芯片與底板的縫隙間填充底部填充樹脂，使其熱硬化，從而將芯片完全固定在底板上。但存在問題是：如果電極極板間距變窄或高度降低，底部就難以填充樹脂，而必須在配備的芯片中一個一個地在底部填充樹脂，并且填充耗費時間，因此成本容易增加，另外底部填充樹脂有時露在芯片周圍，占用多余的封裝面積。
而此次開發(fā)的聚酰亞胺薄膜能夠克服上述問題。在倒裝芯片封裝中使用此次的薄膜時，首先將薄膜貼在晶圓和底板上（層壓）。其次用粘片機(jī)一邊加熱一邊配置朝下的芯片。這時，通過調(diào)整加熱方法，可以通過一次加熱工藝實現(xiàn)極板間的電性連接和用來固定芯片的薄膜熱硬化。此次的薄膜加熱到120℃左右，會暫時融化成粘液狀，具有流動性?；谶@個性質(zhì)，焊接時薄膜材料在電極上移動，從而使芯片與底板的電極接觸。進(jìn)一步加熱，通過焊接等確保芯片與底板電性連接。最后，薄膜逐漸硬化，從而使芯片就固定在底板上了。
為了能夠支持這種封裝工藝，東麗改進(jìn)了聚酰亞胺材料。具體是在納米水平上控制相溶體（多種物質(zhì)成分相互通過親和性混合在一起的物體）的構(gòu)造，實現(xiàn)了未硬化狀態(tài)和硬化狀態(tài)兩種狀態(tài)分別要求的特性。在未硬化狀態(tài)下，滿足了以下特性：向電極和底板上粘貼時不出現(xiàn)氣泡；通過晶圓貼合后的焊接，薄膜也能夠一起切斷；即使遇到芯片焊接工藝中焊接等所需要的200℃以上高溫，薄膜也不分解等。另一方面，據(jù)該公司介紹，硬化后實現(xiàn)了與底部填充樹脂同等的粘結(jié)牢靠性和絕緣可靠性。另外，此次的薄膜將在與“第40屆INTER NEPCON JAPAN”同時舉行的“第12屆半導(dǎo)體封裝技術(shù)展”（2011年1月19～21日，東京有明國際會展中心）上展出。（記者：長廣 恭明）
倒裝芯片封裝和三維封裝原來是在連接芯片與底板及芯片間的電極后填充環(huán)氧類填充樹脂。倒裝芯片封裝的具體工藝是：首先將形成了倒裝芯片用電極（凸點）的晶圓切割成單個芯片。然后，用粘片機(jī)一邊加熱一邊將朝下的芯片配置在底板上，然后通過加熱焊接等確保芯片與底板電氣連接。最后在芯片與底板的縫隙間填充底部填充樹脂，使其熱硬化，從而將芯片完全固定在底板上。但存在問題是：如果電極極板間距變窄或高度降低，底部就難以填充樹脂，而必須在配備的芯片中一個一個地在底部填充樹脂，并且填充耗費時間，因此成本容易增加，另外底部填充樹脂有時露在芯片周圍，占用多余的封裝面積。
而此次開發(fā)的聚酰亞胺薄膜能夠克服上述問題。在倒裝芯片封裝中使用此次的薄膜時，首先將薄膜貼在晶圓和底板上（層壓）。其次用粘片機(jī)一邊加熱一邊配置朝下的芯片。這時，通過調(diào)整加熱方法，可以通過一次加熱工藝實現(xiàn)極板間的電性連接和用來固定芯片的薄膜熱硬化。此次的薄膜加熱到120℃左右，會暫時融化成粘液狀，具有流動性?；谶@個性質(zhì)，焊接時薄膜材料在電極上移動，從而使芯片與底板的電極接觸。進(jìn)一步加熱，通過焊接等確保芯片與底板電性連接。最后，薄膜逐漸硬化，從而使芯片就固定在底板上了。
為了能夠支持這種封裝工藝，東麗改進(jìn)了聚酰亞胺材料。具體是在納米水平上控制相溶體（多種物質(zhì)成分相互通過親和性混合在一起的物體）的構(gòu)造，實現(xiàn)了未硬化狀態(tài)和硬化狀態(tài)兩種狀態(tài)分別要求的特性。在未硬化狀態(tài)下，滿足了以下特性：向電極和底板上粘貼時不出現(xiàn)氣泡；通過晶圓貼合后的焊接，薄膜也能夠一起切斷；即使遇到芯片焊接工藝中焊接等所需要的200℃以上高溫，薄膜也不分解等。另一方面，據(jù)該公司介紹，硬化后實現(xiàn)了與底部填充樹脂同等的粘結(jié)牢靠性和絕緣可靠性。另外，此次的薄膜將在與“第40屆INTER NEPCON JAPAN”同時舉行的“第12屆半導(dǎo)體封裝技術(shù)展”（2011年1月19～21日，東京有明國際會展中心）上展出。（記者：長廣 恭明）
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