中微半導體設(shè)備有限公司（以下簡稱“中微”）于 SEMICON China 展會期間宣布，中微第二代等離子體刻蝕設(shè)備 Primo AD-RIE? 正式裝配國內(nèi)技術(shù)最先進的集成電路芯片代工企業(yè)中芯國際，用于32納米至28納米及更先進的芯片加工。這是繼去年 SEMICON West 展會期間 Primo AD-RIE? 正式發(fā)布以來，中微 Primo AD-RIE? 設(shè)備首次進入中國大陸客戶生產(chǎn)線。目前，中微第一代等離子體刻蝕設(shè)備 Primo D-RIE? 已在中國建立了穩(wěn)固的市場地位。Primo AD-RIE? 設(shè)備也已進入臺灣客戶的生產(chǎn)線。

到目前為止，中微的刻蝕設(shè)備已進入11家客戶的14條芯片生產(chǎn)線，客戶涵蓋中國大陸、臺灣、新加坡和南韓等地的整合器件制造商（IDM）、晶圓代工廠、芯片封裝廠等。這其中也包括中微近日發(fā)布的 TSV 硅通孔刻蝕設(shè)備 Primo TSV200E?，為中微開辟了新的市場。綜合來看，中微的設(shè)備均擁有生產(chǎn)率高、工藝性能出色、操作簡便、成本競爭優(yōu)勢明顯等優(yōu)點。隨著亞洲地區(qū)對半導體設(shè)備的需求日漸增長，中微不斷拓展產(chǎn)品線使之日趨多元化，從而邁入了快速發(fā)展的軌道，2011年中微的銷售額較2010年增長了兩倍多。同時，為了滿足企業(yè)自身發(fā)展的需求，中微位于上海的二期大樓也將竣工，屆時將增加10,000平方米的生產(chǎn)基地。

Primo AD-RIE? 設(shè)備是中微第二代甚高頻去耦合等離子體刻蝕設(shè)備，可滿足多種關(guān)鍵生產(chǎn)工藝要求。繼第一代已被業(yè)界廣泛認可的 Primo D-RIE? 之后，Primo AD-RIE? 采用了更多技術(shù)創(chuàng)新點，以解決生產(chǎn)復雜的22納米至14納米芯片所帶來的挑戰(zhàn)，同時確保芯片加工的質(zhì)量。這些技術(shù)創(chuàng)新點包括：可切換頻率的射頻系統(tǒng)保證了刻蝕的靈活性和可重復性，更好的調(diào)諧能力確保了超精細關(guān)鍵尺寸的均勻度和可重復性，改良的反應室室內(nèi)材料減少了工藝缺陷并降低了成本消耗。

“我們很高興中微在中國的第一臺 Primo AD-RIE? 設(shè)備能進入國內(nèi)領(lǐng)先的晶圓代工廠，”中微副總裁兼刻蝕產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理朱新萍說道，“與中微第一代產(chǎn)品類似，Primo AD-RIE? 設(shè)備的單位投資產(chǎn)出率比市場上其他同類設(shè)備提高了30%以上，占地面積較其他同類設(shè)備減少了30%以上，并能使加工晶圓的成本降低20%至40%，Primo AD-RIE? 設(shè)備已成為市場上生產(chǎn)率最高、單位投資產(chǎn)出率最高的先進刻蝕設(shè)備，用于各種關(guān)鍵及通常的工藝應用?！?