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[導讀]韓國三星電子昨在由IBM主導的通用平臺(Common Platform)技術(shù)論壇中指出,內(nèi)部已開始評估新的邏輯晶片投資計畫。外界認為,三星可能會興建新晶圓廠或是升級現(xiàn)有晶圓廠技術(shù),擴大28奈米及20奈米的產(chǎn)能,爭取晶圓代工

韓國三星電子昨在由IBM主導的通用平臺(Common Platform)技術(shù)論壇中指出,內(nèi)部已開始評估新的邏輯晶片投資計畫。外界認為,三星可能會興建新晶圓廠或是升級現(xiàn)有晶圓廠技術(shù),擴大28奈米及20奈米的產(chǎn)能,爭取晶圓代工市場龐大商機。

對于三星的來勢洶洶,臺積電及聯(lián)電今年將會提升資本支出至少20%,包括加速制程微縮及增加12寸廠產(chǎn)能,以鞏固現(xiàn)有市場版圖。

三星目前擁有2座邏輯IC晶圓廠,分別位于韓國的S1及美國Austin,其中韓國S1生產(chǎn)線月產(chǎn)能達5萬片,其中1.5萬片投入晶圓代工,為賽靈思(Xilinx)、高通等大廠代工。

美國Austin廠原本主要生產(chǎn)記憶體,但已開始布建邏輯IC產(chǎn)能,市場預期主要是用來支援為蘋果代工A4/A5等應用處理器(AP)晶片。

三星昨日也與通用平臺聯(lián)盟共同宣布20奈米研發(fā)計畫,三星成為繼英特爾、臺積電、全球晶圓(GlobalFoundries)之后,第4家投入20奈米邏輯制程研發(fā)的半導體大廠。三星預計2012年下半年開始試產(chǎn),2013年就可開始接單量產(chǎn),進度上與臺積電沒有太大時間上的落差。

值得市場注意之處,在于三星及通用平臺聯(lián)盟在32奈米及28奈米世代,采用的是前閘極(gate-first)技術(shù)方向,但此次合作開發(fā)的20奈米技術(shù),已經(jīng)轉(zhuǎn)向后閘極(gate-last)技術(shù)方向,并將提供高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)。

目前英特爾已經(jīng)在45奈米及32奈米采用HKMG生產(chǎn)處理器,臺積電預計明年下半年推出的28奈米也將涵蓋HKMG技術(shù),同時,包括英特爾、臺積電、聯(lián)電等3家業(yè)者,先進制程研發(fā)早已轉(zhuǎn)向后閘極技術(shù)方向發(fā)展。

三星因為有通用平臺聯(lián)盟的奧援,近兩年爭取晶圓代工市場有成,順利拿下高通、賽靈思等先進制程代工訂單,并成為蘋果A4/A5處理器獨家代工廠。現(xiàn)在三星又決定要擴大投資,擴充晶圓代工產(chǎn)能,自然就會成為臺積電、聯(lián)電等晶圓雙雄主要的競爭對手。

為了抵抗三星勢力入侵,設(shè)備業(yè)者透露,臺積電以及聯(lián)電,今年資本支出均將較去年增加約20%,包括加速推進28奈米及20奈米技術(shù),同時也將擴大40奈米以下先進制程產(chǎn)能,以鞏固現(xiàn)有市場版圖。



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