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臺(tái)積電創(chuàng)8年半新高價(jià)，市值達(dá)1.94兆元

時(shí)間：2010-12-18 08:42:00

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 DM 國家半導(dǎo)體聯(lián)電

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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)、日月光(2311)今日大漲帶領(lǐng)臺(tái)股闖關(guān)8800點(diǎn)，臺(tái)積電(2330)更受惠于IDM（國際集成元件制造廠）關(guān)廠產(chǎn)能移轉(zhuǎn)，股價(jià)再創(chuàng)2002年6月18日以來8年半新高，以今日最高價(jià)位75元計(jì)算，股本2590.73億元

臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)、日月光(2311)今日大漲帶領(lǐng)臺(tái)股闖關(guān)8800點(diǎn)，臺(tái)積電(2330)更受惠于IDM（國際集成元件制造廠）關(guān)廠產(chǎn)能移轉(zhuǎn)，股價(jià)再創(chuàng)2002年6月18日以來8年半新高，以今日最高價(jià)位75元計(jì)算，股本2590.73億元計(jì)算，市值越過1.9兆達(dá)1.94兆元。

英特爾、國家半導(dǎo)體、恩智浦（NXP）、瑞薩電子（Renesas）、富士通、亞德諾（ADI）等國際IDM大廠陸續(xù)關(guān)閉舊有晶圓廠及封測廠，臺(tái)積電、聯(lián)電、日月光、矽品，訂單移轉(zhuǎn)效益將逐漸發(fā)酵。

據(jù)報(bào)導(dǎo)，飛思卡爾、愛特梅爾（Atmel）、安森美（ONSemi）、富士通、瑞薩、國家半導(dǎo)體、恩智浦等IDM廠，今年來陸續(xù)停止舊晶圓廠投片動(dòng)作，經(jīng)過將近3季度的產(chǎn)能及技術(shù)認(rèn)證后，IDM廠訂單已于9月后陸續(xù)涌入臺(tái)積電(2330)，臺(tái)積電受惠于此利多，股價(jià)越墊越高，今日再創(chuàng)8年半年新高。

展望未來，由于IDM廠委外下單量愈來愈大，臺(tái)積電股價(jià)預(yù)料將欲小不易。

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或?qū)⑸a(chǎn)先進(jìn)制程工藝，臺(tái)積電在日本擴(kuò)充產(chǎn)能

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，臺(tái)積電目前正在規(guī)劃在日本擴(kuò)充產(chǎn)能，或?qū)⑸a(chǎn)先進(jìn)制程工藝，除了現(xiàn)在熊本縣的工廠之外，日本政府也歡迎臺(tái)積電在日本其他地方進(jìn)行進(jìn)一步規(guī)劃。雖然臺(tái)積電目前沒有做出明確的表態(tài)，但是正在研究可行性。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電日本

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臺(tái)積電3nm工藝或遭推遲,將被三星搶先一步

早前，就有消息稱臺(tái)積電或?qū)⒃?月份正式量產(chǎn)3nm工藝，預(yù)計(jì)于第三季下旬投片量將會(huì)有一個(gè)大幅度的拉升，而第四季度的投片量會(huì)達(dá)到上千的水準(zhǔn)并且正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電三星芯片半導(dǎo)體

[通信先鋒]

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據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電繼之前將3nm制程工藝的量產(chǎn)時(shí)間由外界預(yù)計(jì)的9月底推遲到第四季度后，再一次將其延后一個(gè)季度，預(yù)計(jì)將于明年才能量產(chǎn)。

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周四美股交易時(shí)段，受到“臺(tái)積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響，包括英偉達(dá)、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開盤，但在隨后兩個(gè)小時(shí)內(nèi)紛紛暴力拉漲，多家千億美元市值的巨頭較開盤低點(diǎn)向上漲幅竟能達(dá)到10%。

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[通信先鋒]

基于臺(tái)積電16nm工藝，俄羅斯S1000芯片胎死腹中

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關(guān)鍵字：臺(tái)積電 16nm 俄羅斯 S1000 芯片

[通信先鋒]

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據(jù)業(yè)內(nèi)信息，近日一家名為Daedalus Prime的小公司陸續(xù)對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體巨頭發(fā)起337專利訟訴，其中包含三星電子、高通公司、臺(tái)積電等。

關(guān)鍵字：專利侵權(quán) 三星臺(tái)積電高通公司 337調(diào)查 USITC

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