晶圓代工積極沖刺先進(jìn)制程，并持續(xù)擴(kuò)充12吋產(chǎn)能，2011年資本支出持續(xù)維持高檔，根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)(SEMI)最新統(tǒng)計(jì)，臺(tái)灣晶圓代工廠2011年前段制程設(shè)備投資將超越70億美元，年成長(zhǎng)14%，臺(tái)灣仍將是全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。

2010年臺(tái)積電與聯(lián)電皆大幅提高資本支出，臺(tái)積電全年資本支出高達(dá)59億美元，聯(lián)電亦達(dá)18億美元，對(duì)于2011年資本支出計(jì)劃都表示非常積極，臺(tái)積電甚至?xí)^(guò)2011年水平；業(yè)界推估，臺(tái)積電2011年資本支出上看65億美元，聯(lián)電則約15億~18億美元。

SEMI資深研究經(jīng)理曾瑞榆指出，在制程技術(shù)升級(jí)和持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)的需求驅(qū)動(dòng)下，晶圓廠支出在2011年將成長(zhǎng)18.3%，2012年在成長(zhǎng)9.5%；其中又以內(nèi)存、晶圓代工和微處理器(MPU)支出最為明顯。2011年晶圓廠投資中，建廠方面的支出將減少11%。

然相較于建廠支出的減少，2011年晶圓廠在制程相關(guān)設(shè)備的投資金額預(yù)估將提高23%，達(dá)到400億美元，超越2007年的水平， 創(chuàng)下19年來(lái)的最高紀(jì)錄。

在晶圓代工廠方面，曾瑞榆指出，2011年12吋晶圓產(chǎn)能將增加20%， 其中以臺(tái)灣及南韓為最主要的驅(qū)動(dòng)力。其中，臺(tái)灣地區(qū)晶圓代工產(chǎn)能為全球之冠，2011年前段設(shè)備投資金額將由20! 10年的61.32億美元，提升至70億美元。

至于在內(nèi)存廠方面，受到產(chǎn)業(yè)價(jià)格波動(dòng)影響，DRAM市場(chǎng)較為疲弱，未來(lái)兩年設(shè)備支出預(yù)估持平，而已NAND Flash相關(guān)投資為主要的成長(zhǎng)力道。

2011年設(shè)備市場(chǎng)展望樂(lè)觀，微影設(shè)備大廠艾司摩爾(ASML)也于9日宣布調(diào)升第4季接單金額預(yù)估值，由10月時(shí)預(yù)估的13億歐元，提高到20億歐元，主要由于內(nèi)存廠對(duì)微影需求的減緩程度低于預(yù)期，加上NAND Flash與晶圓代工廠投資積極。

ASML也強(qiáng)調(diào)，這個(gè)金額并不包括最新進(jìn)的極紫外光(EUV)微影機(jī)臺(tái)，除NXE:3100六臺(tái)設(shè)備訂單在準(zhǔn)備出貨外，最新一代量= 型機(jī)臺(tái)NXE:3300機(jī)臺(tái)已接獲9臺(tái)訂單，將于2012年陸續(xù)出貨。

SEMI指出，2010年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將達(dá)375.4億美元，年成長(zhǎng)達(dá)136%，預(yù)估2011年將再成長(zhǎng)8%，站上400億美元大關(guān)，2012年也將有個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)幅度；然SEMI也指出，未來(lái)新廠需要18~24個(gè)月的規(guī)劃、建置、設(shè)備裝機(jī)、認(rèn)證和試營(yíng)運(yùn)，若上線時(shí)間太慢，或無(wú)新晶圓廠出現(xiàn)，2014年恐怕會(huì)有產(chǎn)能不足的疑慮。