全球晶圓(Global Foundries)于美東時(shí)間1日舉行成軍以來首屆全球技術(shù)論壇，會(huì)中展示28奈米模擬／混合訊號(hào)(AMS)生產(chǎn)設(shè)計(jì)流程開發(fā)工具包，并推出新的28奈米HPP(High Perfoarmance Plus)技術(shù)，預(yù)計(jì)于第4季正式向客戶推出，另外也首度揭示22/20奈米制程技術(shù)藍(lán)圖與時(shí)間進(jìn)程，預(yù)計(jì)2013年正式進(jìn)入量產(chǎn)。與會(huì)人士指出，全球晶圓在技術(shù)上進(jìn)逼至20奈米，時(shí)程上亦與臺(tái)積電甚為相近，與臺(tái)積電在先進(jìn)制程較勁意味濃厚。

為因應(yīng)快速成長的智能型移動(dòng)裝置市場(chǎng)，全球晶圓在原本的28奈米HP(High Performance)、28奈米SLP(Super Low Power)制程外，再推出28奈米HPP(High Perfoarmance Plus)。全球晶圓指出，28奈米HPP制程預(yù)計(jì)于2011年第4季進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，該制程的產(chǎn)品效能將較目前28奈米HP制程高出10%。

相較于臺(tái)積電采用Gate-Last技術(shù)，全球晶圓的28奈米制程主要采Gate-First技術(shù)，全球晶圓指出，目前28奈米制程已有多家客戶通過硅晶驗(yàn)證。

在技術(shù)論壇中，全球晶圓也公布28奈米模擬／混合訊號(hào)(AMS)生產(chǎn)設(shè)計(jì)流程開發(fā)工具包。全球晶圓已經(jīng)和Cadence達(dá)成合作，在2010的第3季共同推出AMS生產(chǎn)設(shè)計(jì)流程的主要元素，至于完整的生產(chǎn)級(jí)AMS流程預(yù)計(jì)在2010年! 第4季向客戶推出，芯片驗(yàn)證則計(jì)劃在2011年初。

全球晶圓= 軍以來，首度舉辦全球技術(shù)論壇，因此也備受外界矚目，尤其在先進(jìn)制程上的進(jìn)展，更是焦點(diǎn)之一。不過與會(huì)人士指出，本次全球晶圓技術(shù)論壇并沒有太大的驚喜，關(guān)于產(chǎn)能與技術(shù)藍(lán)圖與6月時(shí)在臺(tái)灣記者會(huì)中公布的相去不遠(yuǎn)，顯示該公司照計(jì)劃運(yùn)行順利，然而特別的一點(diǎn)是，20奈米首次加入全球晶圓的技術(shù)藍(lán)圖之中，而在28奈米與22/20奈米量產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)，都與臺(tái)積電近乎雷同，顯示兩家公司在先進(jìn)制程上競(jìng)爭(zhēng)激烈。

據(jù)了解，臺(tái)積電最快將于年底前量產(chǎn)28奈米制程，除HP與LP制程外，亦有與賽靈思(Xilinx)合作開發(fā)的HPL(High Performance Low Power)制程。

全球晶圓指出，22/20奈米將會(huì)于2012年下半進(jìn)行試產(chǎn)，并于2013年正式進(jìn)入量產(chǎn)。其中，20奈米制程將會(huì)提供HP(High Performance)與SLP(Super Low Power)兩種制程，其中HP制程主要應(yīng)用于有線裝置，SLP制程則要用于移動(dòng)式裝置應(yīng)用。

在次世代微影技術(shù)方面，相較于臺(tái)積電在深紫外光(EUV)與多重電子束兩路并進(jìn)，全球晶圓壓寶EUV陣營，預(yù)計(jì)首臺(tái)EUV機(jī)臺(tái)將于2012年下半進(jìn)廠，并于2014~2015年間量產(chǎn)。