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瑞信艾藍(lán)迪：全球晶圓擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃將小幅沖擊臺(tái)積電成長(zhǎng)目標(biāo)

時(shí)間：2010-09-02 19:12:00

關(guān)鍵字：臺(tái)積電晶圓 AMD AMS

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[導(dǎo)讀]全球晶圓(GlobalFoundries)日前在美西舉行的科技論壇宣布，未來(lái)5年將有積極的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，瑞信證券最新報(bào)告指出，一旦全球晶圓達(dá)成擴(kuò)產(chǎn)目標(biāo)，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330-TW)市占率將受沖擊，合理看來(lái)，臺(tái)積電年復(fù)和

全球晶圓(GlobalFoundries)日前在美西舉行的科技論壇宣布，未來(lái)5年將有積極的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，瑞信證券最新報(bào)告指出，一旦全球晶圓達(dá)成擴(kuò)產(chǎn)目標(biāo)，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330-TW)市占率將受沖擊，合理看來(lái)，臺(tái)積電年復(fù)和成長(zhǎng)率(CAGR)影響應(yīng)該在1個(gè)百分點(diǎn)左右。

全球晶圓目前計(jì)劃2012年將其12吋晶圓產(chǎn)能加倍，而2014年更有要擴(kuò)大3倍的雄心壯志，而8吋晶圓產(chǎn)能則將平緩成長(zhǎng)。瑞信證券臺(tái)股研究部主管艾藍(lán)迪(Randy Abrams)指出，在此擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃之下，預(yù)期全球晶圓總產(chǎn)能若與臺(tái)積電相比，將從臺(tái)積電的31%提升到43%，而在12吋晶圓產(chǎn)能部分，則將從臺(tái)積電的 46%提升到57%。

艾藍(lán)迪表示，為了擴(kuò)產(chǎn)，全球晶圓計(jì)劃擴(kuò)大今年原本在27-28億美元的預(yù)算，在晶圓廠外建在新加坡與德國(guó)德勒斯敦(Dresden)之下，預(yù)期成本將增加到32億美元。而在預(yù)期產(chǎn)能2年內(nèi)雙倍、4年內(nèi)3倍的擴(kuò)增之下，全球晶圓2011-2014年資本支出將擴(kuò)大到50-70億元，有機(jī)會(huì)突破臺(tái)積電今年創(chuàng)下歷史新高的59億元資本支出。

艾藍(lán)迪指出，全球晶圓這波擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，將能在2014年把除去AMD以外的營(yíng)收基礎(chǔ)由28億美元增加到60億美元，相形之下，特許半導(dǎo)體(Chartered)即使到2020年，營(yíng)收也僅提升到17億美元，差距不小。

艾藍(lán)迪認(rèn)為，臺(tái)積電在2000-2010年之間，年復(fù)和成長(zhǎng)率(CAGR)達(dá)9%，臺(tái)積電本身也設(shè)立在2010-2014年增加到10%的目標(biāo)。但在全球晶圓的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃下，臺(tái)積電將面臨更大競(jìng)爭(zhēng)，一旦全球晶圓在12吋晶圓擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃達(dá)到3倍目標(biāo)，臺(tái)積電CAGR恐將下滑到3%，合理來(lái)看則可能比原本降低1%。

艾藍(lán)迪也強(qiáng)調(diào)，在競(jìng)爭(zhēng)激烈，各廠商大打價(jià)格戰(zhàn)的情形之下，晶圓成長(zhǎng)率將受侵蝕，臺(tái)積電勢(shì)必需要技術(shù)轉(zhuǎn)移到40nm以下制程，成本將因此提高，但沖擊尚不算太嚴(yán)重。

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