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[導(dǎo)讀]全球半導(dǎo)體市場(chǎng)脫離2009年經(jīng)濟(jì)風(fēng)暴后迅速?gòu)?fù)蘇,晶圓代工大廠紛紛增加資本支出,并向高階制程靠攏,今年除推展40奈米(nm)制程外,28和20奈米制程規(guī)畫也如火如荼展開。分析師預(yù)測(cè),隨著新產(chǎn)能陸續(xù)開出,2011年全球晶圓

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)脫離2009年經(jīng)濟(jì)風(fēng)暴后迅速?gòu)?fù)蘇,晶圓代工大廠紛紛增加資本支出,并向高階制程靠攏,今年除推展40奈米(nm)制程外,28和20奈米制程規(guī)畫也如火如荼展開。分析師預(yù)測(cè),隨著新產(chǎn)能陸續(xù)開出,2011年全球晶圓代工市場(chǎng),將面臨供需失衡的危機(jī)。
資策會(huì)MIC資深產(chǎn)業(yè)分析師潘建光表示,隨著日本IDM積極走向輕資產(chǎn)化經(jīng)營(yíng)與中國(guó)大陸IC設(shè)計(jì)自制率增加,將成晶圓代工市場(chǎng)未來的成長(zhǎng)主力。資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所(MIC)資深產(chǎn)業(yè)分析師潘建光指出,半導(dǎo)體市場(chǎng)于今年恢復(fù)榮景,整體規(guī)模再攀新高,這股成長(zhǎng)趨勢(shì)推動(dòng)主要晶圓代工廠投入大量資本擴(kuò)充產(chǎn)能,預(yù)估2010年包括臺(tái)積電、聯(lián)電、全球晶圓(GlobalFoundries)和中芯國(guó)際(SMIC)等前四大晶圓代工業(yè)者的合計(jì)產(chǎn)能,將較 2009年增長(zhǎng)15~20%,而這股產(chǎn)能擴(kuò)充的成效將導(dǎo)致晶圓代工產(chǎn)能供需在2011年呈現(xiàn)失衡狀態(tài)。
另一方面,由于主要晶圓代工業(yè)者積極導(dǎo)入40奈米及其以下高階制程,將使全球晶圓代工市場(chǎng)版圖在2012年風(fēng)貌丕變。潘建光分析,臺(tái)積電、全球晶圓、三星與聯(lián)電的40奈米制程均已陸續(xù)到位,前三者更將于2011年開出28奈米產(chǎn)能;此外,臺(tái)積電與全球晶圓更已展開20/22奈米布局。也因此,一旦產(chǎn)能開出,勢(shì)將使得先進(jìn)制程訂單的供需關(guān)系發(fā)生轉(zhuǎn)變。舉例來說,賽靈思(Xilinx)的28奈米FPGA訂單恐將分別落到臺(tái)積電與三星手中。
事實(shí)上,日前瑞薩電子宣布進(jìn)行組織調(diào)整時(shí)也明確表示,未來28奈米技術(shù),將分別委由臺(tái)積電及全球晶圓制造。顯見在先進(jìn)制程世代,無晶圓(Fabless)IC設(shè)計(jì)公司與整合型組件制造商(IDM)將傾向同時(shí)與兩家以上晶圓廠合作,以避免產(chǎn)品開發(fā)的風(fēng)險(xiǎn)。


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