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[導(dǎo)讀]由于2010年景氣復(fù)蘇腳步優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期,晶圓代工廠(chǎng)產(chǎn)能滿(mǎn)載,因此紛紛加快擴(kuò)產(chǎn)腳步,包括臺(tái)積電、聯(lián)電與世界先進(jìn)皆在下半年宣布調(diào)升資本支出。 臺(tái)積電由原訂的48億美元,調(diào)高至59億美元,超越英特爾(Intel)的52億

由于2010年景氣復(fù)蘇腳步優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期,晶圓代工廠(chǎng)產(chǎn)能滿(mǎn)載,因此紛紛加快擴(kuò)產(chǎn)腳步,包括臺(tái)積電、聯(lián)電與世界先進(jìn)皆在下半年宣布調(diào)升資本支出。

臺(tái)積電由原訂的48億美元,調(diào)高至59億美元,超越英特爾(Intel)的52億美元,僅次于南韓三星電子(Samsung Electronics)的228.8億美元。在59億美元的資本支出,其中58億美元用于投資晶圓廠(chǎng),另外1億美元將用來(lái)投資新事業(yè)。而在用于投資晶圓廠(chǎng)的58億美元中,79%用來(lái)擴(kuò)充65奈米、40奈米及28奈米制程,13%用來(lái)投資超越摩爾定律(More-than-Moore)的新制程技術(shù),另外8%用于研發(fā)。

聯(lián)電則由原訂的15億美元調(diào)高到18億美元,主要用以建置高階產(chǎn)能,在新加坡Fab12i廠(chǎng)大幅建置65/55奈米產(chǎn)能,在臺(tái)南科學(xué)園區(qū) Fab12A廠(chǎng)的第3期無(wú)塵室則預(yù)計(jì)在年底前開(kāi)始產(chǎn)出,2011年將可加速貢獻(xiàn)40奈米營(yíng)收。

世界先進(jìn)則由原訂的新臺(tái)幣16億元,大幅調(diào)高1倍以上達(dá)36億元,將Fab2全面由內(nèi)存制程轉(zhuǎn)進(jìn)邏輯制程,擴(kuò)增0.16微米與0.18微米產(chǎn)能。(鄭茜文)



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