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[導(dǎo)讀]為因應(yīng)長遠(yuǎn)布局,晶圓代工廠臺積電將于中科興建全新的12吋晶圓廠(Fab15),將于16日正式動(dòng)土,該座新12吋廠 以40奈米為主要制程,并將進(jìn)行28奈米制程研發(fā),成為臺積電最先進(jìn)的晶圓廠。 臺 積電董事長張忠謀看好半

為因應(yīng)長遠(yuǎn)布局,晶圓代工臺積電將于中科興建全新的12吋晶圓廠(Fab15),將于16日正式動(dòng)土,該座新12吋廠 以40奈米為主要制程,并將進(jìn)行28奈米制程研發(fā),成為臺積電最先進(jìn)的晶圓廠。

臺 積電董事長張忠謀看好半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景,隨著芯片市場成長,以及整合組件廠(IDM)加速委外釋單,帶動(dòng)晶圓代工需求。張忠謀亦三 度上修2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長預(yù)估值達(dá)30%,他也認(rèn)為,受惠大陸消費(fèi)者需求增長,未來5年全球半導(dǎo)體市場成長率可望達(dá) 6~7%。

為了產(chǎn)能長遠(yuǎn)規(guī)畫,臺積電加速布局先進(jìn)晶圓廠,決定在中科興 建第3座12吋超大型晶圓廠Fab15,預(yù)計(jì)2010年中動(dòng)土,初期將以40奈米開始切入,未來會伺機(jī)盡快循序切入28奈米和20奈 米制程。

臺積電2010年積極擴(kuò)充產(chǎn)能,資本支出達(dá)48億美元,并可望 在月底的法說會中上調(diào)。占地約18公頃的中科15廠,將是臺積電繼竹科、南科后的第3座12吋廠用地,預(yù)估最快年底就可完工,供應(yīng) 12吋產(chǎn)能。

除新建的中科15廠外,臺積電2010年亦擴(kuò)建竹科12吋 廠Fab12的第5期工程及南科12吋廠Fab 14的第4期工程,屆時(shí)單月產(chǎn)能各會達(dá)到10萬片,并會導(dǎo)入最先進(jìn)的40奈米制程量 產(chǎn),而Fab 12也會在下半年開始以28奈米量! 產(chǎn)投片。

屆時(shí),臺積電全年總 產(chǎn)能亦將首度突破千萬片大關(guān),產(chǎn)量上看1,124萬片的8吋約當(dāng)晶圓,而12吋廠先進(jìn)制程年度總產(chǎn)能則會年增35%,比重 也將首度達(dá)到5 0%。



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