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[導(dǎo)讀]隨著IC組件微縮、制程進入28奈米以下,半導(dǎo)體業(yè)者若能掌握微影技術(shù)主控權(quán),就等于卡位先進制程領(lǐng)導(dǎo)地位,臺積電未來研發(fā)重點放在28奈米以下,尤其為力拼20奈米制程,全力備妥戰(zhàn)斗武器,臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣

隨著IC組件微縮、制程進入28奈米以下,半導(dǎo)體業(yè)者若能掌握微影技術(shù)主控權(quán),就等于卡位先進制程領(lǐng)導(dǎo)地位,臺積電未來研發(fā)重點放在28奈米以下,尤其為力拼20奈米制程,全力備妥戰(zhàn)斗武器,臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義24日表示,預(yù)計第1臺超紫外線(EUV)微影機臺將于2011年到位,以配合2013年導(dǎo)入20奈米制程。

在摩爾定律所闡述IC制程縮微周期中,微影技術(shù)可說是具支配性的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù),隨著IC組件制程進入28奈米以下開發(fā),半導(dǎo)體業(yè)者若能掌握微影技術(shù)主控權(quán),就等于卡位先進制程領(lǐng)導(dǎo)地位,近期包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)、海力士(Hynix)等均已成功利用EUV發(fā)展30及20奈米世代內(nèi)存微影技術(shù)。

晶圓代工龍頭廠臺積電亦全力跨入EUV微影技術(shù)研發(fā),取得ASML EUV微影設(shè)備,成為ASML全球6家取得這項設(shè)備客戶伙伴之一。蔣尚義表示,臺積電第1臺EUV微影設(shè)備將于2011年到位,安裝于臺積電超大晶圓廠(GigaFab)Fab 12,用以發(fā)展新世代制程技術(shù)。臺積電將成為全球首家可在自身晶圓廠發(fā)展EUV微影技術(shù)的專業(yè)晶圓代工業(yè)者。

蔣尚義指出,臺積電2013年將會導(dǎo)入20奈米制程,并改采EUV微影設(shè)備,不? L,目前EUV微影機臺問題在于每小時單位產(chǎn)出量太少,較缺乏競爭力,倘若EUV技術(shù)能夠趨于成熟,拉高每小時單位產(chǎn)出量達到100片,屆時使用EUV設(shè)備才會具有競爭力。

臺積電2010年研發(fā)技術(shù)重點在于28奈米制程,對于22奈米以下市場亦積極卡位,希望能贏得更高市占率,針對目前量產(chǎn)中的40奈米,以及2010年底即將進行風(fēng)險試產(chǎn)的28奈米,臺積電均采用雙重曝影浸潤式微影技術(shù),22奈米亦還不會使用EUV微影設(shè)備。

事實上,相較于現(xiàn)行浸潤式微影技術(shù)以193奈米波長當(dāng)作光源,EUV微影技術(shù)導(dǎo)入更短波長光源,將有機會降低生產(chǎn)成本,成為IC制造更先進技術(shù)世代一個有潛力的= 擇,然因EUV設(shè)備十分昂貴,1部機臺要價至少1億美元起跳,相對應(yīng)的光罩投資金額亦十分驚人,22奈米世代研發(fā)投資幾乎是上一世代28奈米的1倍,因此,一旦EUV轉(zhuǎn)為未來新世代制程重點發(fā)展方向,各家半導(dǎo)體廠口袋是否夠深,將是一大考驗。



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