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IEDM綜述：進(jìn)攻，再進(jìn)攻的臺(tái)積電

時(shí)間：2010-06-15 07:57:00

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 DM TSMC 三星電子

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[導(dǎo)讀]臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）推出了通過(guò)設(shè)備投資和技術(shù)開(kāi)發(fā)超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的戰(zhàn)略。該公司2009年實(shí)現(xiàn)了31％的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率，2010年開(kāi)始實(shí)施大幅超過(guò)其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的設(shè)備投資，投資總額達(dá)到48億美元（圖）。這個(gè)數(shù)字與美國(guó)英特爾和韓

臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）推出了通過(guò)設(shè)備投資和技術(shù)開(kāi)發(fā)超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的戰(zhàn)略。該公司2009年實(shí)現(xiàn)了31％的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率，2010年開(kāi)始實(shí)施大幅超過(guò)其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的設(shè)備投資，投資總額達(dá)到48億美元（圖）。這個(gè)數(shù)字與美國(guó)英特爾和韓國(guó)三星電子在2010年計(jì)劃的半導(dǎo)體投資額相當(dāng)，創(chuàng)下了硅代工廠商投資的歷史最高記錄。臺(tái)積電2008～2010年的設(shè)備投資總額大有逼近100億美元之勢(shì)。

圖：在設(shè)備投資額方面超越其他競(jìng)爭(zhēng)公司
臺(tái)積電的設(shè)備投資額在2010年將達(dá)到48億美元，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)其他競(jìng)爭(zhēng)公司。48億美元中的94％將用于尖端工藝?；谂_(tái)積電提供的資料。

在40nm工藝中擁有80％的全球市場(chǎng)份額

臺(tái)積電將把此次設(shè)備投資的大部分用于40nm工藝以后的尖端產(chǎn)品中。原因是“尖端產(chǎn)品的供需逐漸趨于緊張”（臺(tái)積電高級(jí)副總裁、研發(fā)負(fù)責(zé)人蔣尚義）。尤其是在迫切需要新型曝光技術(shù)的40nm工藝方面，包括臺(tái)積電在內(nèi)的許多硅代工企業(yè)都在啟動(dòng)量產(chǎn)時(shí)吃了不少苦頭。臺(tái)積電目前已經(jīng)解決了這個(gè)問(wèn)題，2009 年年底之前在40nm工藝中實(shí)現(xiàn)了累計(jì)10萬(wàn)片的供貨業(yè)績(jī)。因此，“臺(tái)積電在40nm工藝硅代工市場(chǎng)獲得了80％的市場(chǎng)份額”（蔣尚義）。（記者：木村雅秀）

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