當(dāng)晶圓制程從45奈米進(jìn)入28奈米甚至更微型化的階段時(shí)，其所需面對的問題則更為復(fù)雜，在實(shí)體架構(gòu)設(shè)計(jì)（physical design）、DFM（design for manufacturing）、光學(xué)微影技術(shù)（Lithography）和漏電流等制程上的挑戰(zhàn)更為嚴(yán)峻。

越來越微型化的晶圓制程，帶給光學(xué)微影技術(shù)越來越嚴(yán)厲的技術(shù)難題。微影技術(shù)是透過提高分辨率制作更小線寬尺寸的方式，來提高IC密度進(jìn)而降低顯影成本。光源波長和光源波的尺寸是其關(guān)鍵，微影技術(shù)所使用的光源波長越短、尺寸越小，分辨率會越高?；蛘撸部梢圆捎秒p重曝光成像（double patterning）的方式來提高顯影分辨率。不過雙重曝光成像成本較高，圖案布局也較復(fù)雜，因此釜底抽薪的辦法，就是從革新微影技術(shù)的光源內(nèi)容著手。

Tela Innovations市場營銷副總裁Neal Carney則表示，隨著奈米制程微型化，IC密度不斷縮小，晶圓上的圖案間距和目標(biāo)會更小，無論是單次曝光（single patterning）還是雙重曝光成像，都已藉由浸潤式微影技術(shù)中透過水較高的折射率，增加透鏡的數(shù)值孔徑（NA），來縮減圖案尺寸。進(jìn)入到28～20奈米制程階段，技術(shù)上還是以193nm的深紫外光、結(jié)合1.35NA的浸潤式微影技術(shù)（immersion lithography）為主。至于大家不斷討論到波長13.4nm的次世代超短紫外光（Extreme Ultra Violet；EUV），在技術(shù)上仍有許多不確定因素，因此浸潤式微影技術(shù)應(yīng)該還是下一世代28～20奈米制程的主流微影技術(shù)。

同時(shí)，提升晶圓微影制程的圖案布局和導(dǎo)線精確度更是重要，特別是在雙重曝光成像的過程，要讓晶圓實(shí)體架構(gòu)設(shè)計(jì)圖案布局和布線更準(zhǔn)確，交叉點(diǎn)不易失真，還要兼顧提升晶體管在特定布線內(nèi)的效能。因此在技術(shù)上，可藉由預(yù)先定義實(shí)體架構(gòu)（pre-defined topologies），采用固定閘極距離（fixed-pitch）、直線模式（straight line poly）、整合密度模式（uniform density poly）和單面向布局（single orientation）等方式，在同樣的設(shè)計(jì)架構(gòu)和工具環(huán)境下，可進(jìn)一步降低微影圖案布局的變異性。

另一方面，降低漏電流的挑戰(zhàn)也十分不容易克服。Tela Innovations在并購Blaze之后取得降低漏電流的關(guān)鍵技術(shù)，可針對特定的晶體管網(wǎng)關(guān)長度施以偏壓，讓網(wǎng)關(guān)長度微調(diào)增加，漏電流功耗就會呈現(xiàn)指數(shù)型的降低，而漏電耗能的變異性（leakage variability）也會隨之降低，不會影響芯片的尺寸與效能，提升芯片漏電流的參數(shù)良率（parametric yield）。

Tela Innovations在提升晶圓圖案布局和降低漏電功耗的技術(shù)，已經(jīng)獨(dú)家專利授權(quán)給臺積電廣泛采用。臺積電EDA和設(shè)計(jì)服務(wù)部門副總監(jiān)Tom Quan表示，臺積電藉由OIP平臺架構(gòu)的合作方式，采用Tela的技術(shù)提升芯片設(shè)計(jì)與制程的效能。這是藉由光學(xué)臨近效應(yīng)修正（Optical Proximity Correction；OPC）的閘極臨界尺寸（Critical Dimension）的微調(diào)技術(shù)，分析產(chǎn)品設(shè)計(jì)，并在對時(shí)序較不敏感的路徑上將閘極長度調(diào)整為合適的大小，同時(shí)有效節(jié)省對時(shí)序較不敏感的路徑上的晶體管耗能，而不影響芯片的性能，降低漏電流的幅度可達(dá)到50％，目前已應(yīng)用在90～40奈米的晶圓制程上，臺積電的客戶包括LSI和Mellanox等，均已使用臺積電和Tela所合作的降低漏電功耗技術(shù)，幅度可達(dá)20～25％左右。