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直接上20nm? 臺(tái)積電玩火又要坑NV+AMD

時(shí)間：2010-04-15 07:24:00

關(guān)鍵字： AMD 臺(tái)積電柵極 AN

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[導(dǎo)讀]為了在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進(jìn)的制造技術(shù)，臺(tái)積電已經(jīng)決定跳過(guò)22nm工藝的研發(fā)，直接上馬更高級(jí)的20nm工藝。有趣的是，臺(tái)積電和GlobalFoundries這兩大代工廠此前已經(jīng)不約而同地先后取消了32nm Bul

為了在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進(jìn)的制造技術(shù)，臺(tái)積電已經(jīng)決定跳過(guò)22nm工藝的研發(fā)，直接上馬更高級(jí)的20nm工藝。

有趣的是，臺(tái)積電和GlobalFoundries這兩大代工廠此前已經(jīng)不約而同地先后取消了32nm Bulk工藝，都直奔28nm HKMG工藝而去。再往前追溯，臺(tái)積電還曾經(jīng)取消45nm工藝而改為推行40nm，結(jié)果花了很長(zhǎng)時(shí)間才解決良品率問(wèn)題，對(duì)AMD、NVIDIA新一代顯卡產(chǎn)生了嚴(yán)重影響。

臺(tái)積電研發(fā)部門(mén)高級(jí)副總裁蔣尚義(Shang-yi Chiang)對(duì)1500多名臺(tái)積電客戶和第三方伙伴表示，跳過(guò)22nm而邁向20nm能帶來(lái)更高的柵極密度和芯片性能，對(duì)高級(jí)技術(shù)設(shè)計(jì)師來(lái)說(shuō)將成為一個(gè)更切實(shí)可行的新平臺(tái)。據(jù)了解，臺(tái)積電22nm工藝將采用增強(qiáng)型高K金屬柵極(HKMG)、應(yīng)變硅、低電阻銅超低K互聯(lián)等技術(shù)。

蔣尚義宣布，臺(tái)積電預(yù)計(jì)在2012年下半年開(kāi)始20nm工藝的風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，而根據(jù)他此前的說(shuō)法，新工藝初期只有高性能版本，2013年第一季度再增加低功耗版本。

蔣尚義還透露，臺(tái)積電已經(jīng)成功演示了其他類(lèi)型晶體管結(jié)構(gòu)的可能性，比如FinFET。

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關(guān)鍵字：臺(tái)積電 16nm 俄羅斯 S1000 芯片

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