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[導(dǎo)讀] 晶圓級(jí)封裝技術(shù)可先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測(cè)試之后,再切割成個(gè)別的晶粒,無(wú)需經(jīng)過打線與填膠程序,且封裝后的芯片尺寸等同晶粒原來(lái)的大小。因此,晶圓級(jí)封裝技術(shù)的封裝方式,不僅能讓封裝后的IC保持其原尺寸,符合

晶圓級(jí)封裝技術(shù)可先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測(cè)試之后,再切割成個(gè)別的晶粒,無(wú)需經(jīng)過打線與填膠程序,且封裝后的芯片尺寸等同晶粒原來(lái)的大小。因此,晶圓級(jí)封裝技術(shù)的封裝方式,不僅能讓封裝后的IC保持其原尺寸,符合行動(dòng)信息產(chǎn)品對(duì)高密度積體空間的需求,在電器特性規(guī)格上,也因芯片可以最短的電路路徑,透過錫球直接與電路板連結(jié),因而大幅提升數(shù)據(jù)傳輸速度,有效降低噪聲干擾機(jī)率。

目前晶圓級(jí)封裝技術(shù)一般適用于如行動(dòng)通訊、消費(fèi)性電子與可攜式產(chǎn)品之內(nèi)存、整合性被動(dòng)組件、模擬、射頻、功率放大器、電壓調(diào)整器、PC組件等之芯片。DPE(Die Processing Equipment)于2007年在馬來(lái)西亞成立,主要產(chǎn)品為晶圓級(jí)封裝最后一站的晶粒挑揀機(jī),藉由最大股東SRM ic挑揀機(jī)(test handler)轉(zhuǎn)盤(turret)的技術(shù)及之前與客戶共同開發(fā)的經(jīng)驗(yàn),不到3年的時(shí)間,已經(jīng)獲得當(dāng)?shù)胤鉁y(cè)代工大廠的認(rèn)證及使用,例如:ONSEMI、Avago及Inari等。今年開始,將更成熟的技術(shù)推向臺(tái)灣半導(dǎo)體市場(chǎng)。

臺(tái)灣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一向占有呼風(fēng)喚雨的地位,故對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的要求更是先進(jìn),DPE晶粒挑揀機(jī),使用轉(zhuǎn)盤的觀念,持續(xù)360度前進(jìn),每小時(shí)產(chǎn)出(UPH)可達(dá)到16K,在目前的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中遙遙領(lǐng)先,且設(shè)備是在穩(wěn)定的狀況下生產(chǎn),并不會(huì)產(chǎn)生震動(dòng)而影響其它機(jī)臺(tái),影像檢測(cè)系統(tǒng)本著「防范未然」的精神,在晶粒翻轉(zhuǎn)時(shí)即檢查晶背,若有瑕疵在第一時(shí)間就先發(fā)現(xiàn),并且實(shí)時(shí)Reject,而不是在后面發(fā)現(xiàn)后才做更換,在小尺寸(<1mm)的晶粒,表現(xiàn)更為亮眼。

DPE承諾的不只是反映產(chǎn)品質(zhì)量與價(jià)值上的優(yōu)越表現(xiàn),同時(shí)也在于全面性的經(jīng)營(yíng)方式,設(shè)備后續(xù)的服務(wù)質(zhì)量也是整體價(jià)值的呈現(xiàn)。為滿足市場(chǎng)降低制造成本,提升產(chǎn)量及利潤(rùn),DPE亦推出增值的功能,此晶粒挑揀機(jī)可增加雷射蓋?。╨aser marking)及外加測(cè)試機(jī)(tester)做簡(jiǎn)單的測(cè)試。持續(xù)開創(chuàng)新思維及持續(xù)改善產(chǎn)品質(zhì)量的信念,DPE期許成為全球半導(dǎo)體設(shè)備的首選者。



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消息稱臺(tái)積電將于今年9月開始對(duì)3納米芯片進(jìn)行量產(chǎn)。這下,三星要坐不住了!雖然三星在6月30日稱自己已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了3納米的量產(chǎn)。

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提到臺(tái)積電,相信大家都不陌生,作為全球頂尖的晶圓代工機(jī)構(gòu)。僅臺(tái)積電、三星兩家晶圓代工廠的市場(chǎng)份額,就占據(jù)了全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的70%左右。

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英國(guó)廣播公司《科學(xué)焦點(diǎn)雜志》網(wǎng)站5月22日刊登了題為《什么是摩爾定律?如今是否仍然適用?》的文章,摘要如下:

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作為全球豪華汽車巨頭,寶馬在未來(lái)的電動(dòng)汽車上也開始加大投資,這一次他們是多方下注,英國(guó)牛津的工廠還是戰(zhàn)略核心,日前又透露說(shuō)在中國(guó)投資上百億生產(chǎn)電動(dòng)車,今晚寶馬公司又宣布在美國(guó)投資17億美元,約合人民幣123億元。

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周四美股交易時(shí)段,受到“臺(tái)積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響,包括英偉達(dá)、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開盤,但在隨后兩個(gè)小時(shí)內(nèi)紛紛暴力拉漲,多家千億美元市值的巨頭較開盤低點(diǎn)向上漲幅竟能達(dá)到10%。

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在需求不振和出口受限等多重因素的影響下,全球半導(dǎo)體廠商正在經(jīng)歷行業(yè)低迷期。主要芯片廠商和設(shè)備供應(yīng)商今年以來(lái)股價(jià)集體腰斬。

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在半導(dǎo)體制造中,《國(guó)際器件和系統(tǒng)路線圖》將5nm工藝定義為繼7nm節(jié)點(diǎn)之后的MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)。截至2019年,三星電子和臺(tái)積電已開始5nm節(jié)點(diǎn)的有限風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn),并計(jì)劃在2020年開始批量生產(chǎn)。

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