當(dāng)前位置：首頁 > 模擬 > 模擬

SEMI：晶圓廠設(shè)備投資臺灣最大

時間：2010-03-08 15:24:00

關(guān)鍵字： SEMI 晶圓廠內(nèi)存臺積電

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]SEMI(國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會)公布全球晶圓廠預(yù)測報告，再次上調(diào)全球晶圓廠設(shè)備采購支出，SEMI預(yù)估，2010年全球晶圓廠建置和相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)設(shè)備采購金額的成長率將從原本預(yù)估的65%調(diào)整到88%，整體晶圓廠設(shè)備投資金額將

SEMI(國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會)公布全球晶圓廠預(yù)測報告，再次上調(diào)全球晶圓廠設(shè)備采購支出，SEMI預(yù)估，2010年全球晶圓廠建置和相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)設(shè)備采購金額的成長率將從原本預(yù)估的65%調(diào)整到88%，整體晶圓廠設(shè)備投資金額將達(dá)到272億美元，其中臺灣市場預(yù)估將成長100%，將成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場。

在臺灣，除了繼晶圓代工大廠臺積電 (2330)、聯(lián)電 (2303)之后，內(nèi)存廠商也逐步上修，2010年大廠南亞科 (2408)也于日前宣布將12吋廠產(chǎn)能從3萬片擴(kuò)增到5萬片，并提高2010年資本支出到200至250億。

隨著大廠增調(diào)高設(shè)備投資，SEMI也在最新的報告中，提高上修2010年的晶圓廠設(shè)備支出成長率。原先過去內(nèi)存廠的設(shè)備支出主要用于更新擴(kuò)增現(xiàn)有的技術(shù)及產(chǎn)能，然而近月來則近一步有擴(kuò)建新產(chǎn)能廠房的設(shè)備投資需求。

而在晶圓廠部分，隨著景氣回春、芯片訂單需求攀升，德州儀器、臺積電、聯(lián)電等業(yè)者今年也重啟去年被延滯的設(shè)備投資計劃。

SEMI資深產(chǎn)業(yè)研究經(jīng)理曾瑞榆指出，預(yù)估2010年全球晶圓廠的整體設(shè)備投資 (設(shè)備及建廠)金額將達(dá)到300.9億美元，遠(yuǎn)高于2009年的164億美元，回復(fù)到2008年的水平。不少在去年凍結(jié)的建廠計劃，也逐步恢復(fù)，新產(chǎn)能預(yù)計在2011年后投入市場。

報告中指出，由于去年的金融風(fēng)暴，使得業(yè)者大幅調(diào)降資本支出并重整旗下晶圓廠營運(yùn)，以因應(yīng)景氣沖擊，2009年全球總計有27座晶圓廠關(guān)閉，包括11座8吋晶圓廠和一座先進(jìn)12吋晶圓廠，加上業(yè)者調(diào)降設(shè)備支出來因應(yīng)景氣沖擊，也使得讓2009年的全球的整體晶圓產(chǎn)能下滑到每月1540萬片晶圓 (八吋約當(dāng)晶圓)。

本站聲明：本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點(diǎn)，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請及時聯(lián)系本站刪除。

換一批

臺積電3nm制程工藝再推遲一個季度?

據(jù)業(yè)內(nèi)信息報道，全球晶圓代工龍頭臺積電繼之前將3nm制程工藝的量產(chǎn)時間由外界預(yù)計的9月底推遲到第四季度后，再一次將其延后一個季度，預(yù)計將于明年才能量產(chǎn)。

關(guān)鍵字：臺積電 3nm

[模擬技術(shù)]

為何市場無視“衰退將至”的消息? 臺積電給出的利空究竟成色幾何?

周四美股交易時段，受到“臺積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響，包括英偉達(dá)、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開盤，但在隨后兩個小時內(nèi)紛紛暴力拉漲，多家千億美元市值的巨頭較開盤低點(diǎn)向上漲幅竟能達(dá)到10%。

關(guān)鍵字：臺積電半導(dǎo)體芯片

[快訊]

三星LPDDR5X內(nèi)存運(yùn)行速度可達(dá)8.5 Gbps

三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon）移動平臺上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過了自身...

關(guān)鍵字： GBPS 三星內(nèi)存 LPDDR5

[美通社全球TMT]

三星LPDDR5X內(nèi)存運(yùn)行速度可達(dá)8.5 Gbps；樂高集團(tuán)選擇亞馬遜云科技為首選云服務(wù)供應(yīng)商

（全球TMT2022年10月18日訊）三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon）移動平臺上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和...

關(guān)鍵字： GBPS 三星亞馬遜內(nèi)存

[通信先鋒]

基于臺積電16nm工藝，俄羅斯S1000芯片胎死腹中

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，俄羅斯芯片設(shè)計廠商Baikal Electronics最新設(shè)計完成的48核的服務(wù)器處理器S1000將由臺積電代工，但可惜的是，鑒于目前美國歐盟對俄羅斯的芯片制裁政策，大概率會導(dǎo)致S1000芯片胎死腹中。

關(guān)鍵字：臺積電 16nm 俄羅斯 S1000 芯片

[通信先鋒]

又涉侵權(quán)？美貿(mào)委會對三星、臺積電等發(fā)起337調(diào)查

據(jù)業(yè)內(nèi)信息，近日一家名為Daedalus Prime的小公司陸續(xù)對多個半導(dǎo)體巨頭發(fā)起337專利訟訴，其中包含三星電子、高通公司、臺積電等。

關(guān)鍵字：專利侵權(quán) 三星臺積電高通公司 337調(diào)查 USITC

[芯榜]

傳：達(dá)成協(xié)議！臺積電，75億美元印度建廠！

據(jù)外媒TECHPOWERUP報道，中國臺灣一直在考慮將其芯片生產(chǎn)擴(kuò)展到其他國家已不是什么秘密，臺積電已同意在亞利桑那州建廠，同時歐盟、日本、甚至俄羅斯都在傳出正與臺積電洽談建廠。

關(guān)鍵字：芯片臺積電 5G設(shè)備

[芯榜]

臺積電前十大客戶曝光！

12 月 15 日消息，英特爾 CEO 基辛格近日被曝光訪問臺積電，敲定 3 納米代工產(chǎn)能。此外，digitimes 放出了一張來源于彭博社的數(shù)據(jù)，曝光了臺積電前 10 大客戶營收貢獻(xiàn)占比。

關(guān)鍵字：英特爾臺積電蘋果

[芯榜]

剛剛，臺風(fēng)來襲！臺灣晶圓廠危險了...

雖然說臺積電、聯(lián)電廠房設(shè)備安全異常，并不會因?yàn)橐淮螐?qiáng)臺風(fēng)產(chǎn)生多大損傷。但強(qiáng)臺風(fēng)造成的交通機(jī)場轉(zhuǎn)運(yùn)、供水供電影響，對于這些半導(dǎo)體大廠來說也可謂是不小的麻煩。

關(guān)鍵字：臺積電聯(lián)電廠半導(dǎo)體

[嵌入式硬件]

1.4nm是什么？三星宣布將在2027年量產(chǎn)，趕超臺積電？

近日，在加利福尼亞州圣何塞舉行的三星代工論壇上，三星電子公布了其芯片制造業(yè)務(wù)的未來技術(shù)路線圖，宣布在2025年開始大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝，更先進(jìn)的1.4nm工藝則預(yù)計會在2027年投產(chǎn)，主要面向高性能計算和人工智能等應(yīng)用。

關(guān)鍵字：三星臺積電芯片 1.4nm