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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電(2330)與微影設(shè)備大廠荷商艾司摩爾(ASML)昨(22)日共同宣布,臺(tái)積電將取得ASML的TWINSCAN NXE:3100極紫外光(Extreme Ultra-Violet,EUV)微影設(shè)備。這是臺(tái)積電在布局多重電子束的無光罩(maskless)、雙

臺(tái)積電(2330)與微影設(shè)備大廠荷商艾司摩爾(ASML)昨(22)日共同宣布,臺(tái)積電將取得ASML的TWINSCAN NXE:3100極紫外光(Extreme Ultra-Violet,EUV)微影設(shè)備。這是臺(tái)積電在布局多重電子束的無光罩(maskless)、雙重曝影(double patterning)浸潤(rùn)式等微影技術(shù)之外,首度宣示將跨入極紫外光微影技術(shù)領(lǐng)域。

臺(tái)積電在目前量產(chǎn)中的40奈米,及年底即將進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的28奈米,均采用雙重曝影的浸潤(rùn)式微影技術(shù),但現(xiàn)階段投入研發(fā)的22奈米,過去一年來鎖定的微影技術(shù),較傾向采用多重電子束的無光罩技術(shù),對(duì)于由ASML主導(dǎo)的EUV技術(shù)較少著墨。不過,由于三星、東芝、海力士等業(yè)者,已成功利用EUV發(fā)展30奈米及20奈米世代的內(nèi)存微影技術(shù),臺(tái)積電昨日宣布,開始跨入EUV微影技術(shù)的研發(fā)。

臺(tái)積電及ASML昨日宣布,臺(tái)積電將取得ASML的EUV微影設(shè)備,并安裝在竹科12吋廠Fab12這座超大晶圓廠(GigaFab)中,用以發(fā)展新世代的制程技術(shù)。臺(tái)積電也將成為全球第一個(gè)可在自有晶圓廠發(fā)展EUV微影技術(shù)的晶圓代工廠。

臺(tái)積電指出,相較于現(xiàn)行浸潤(rùn)式微影技術(shù)以193奈米波長(zhǎng)當(dāng)作光源,EUV微影技術(shù)導(dǎo)入更短波長(zhǎng)的光源,將有機(jī)會(huì)降低生產(chǎn)成本,而成為集成電路制造更先進(jìn)技術(shù)世代一個(gè)有潛力的選擇。臺(tái)積電目前正在對(duì)EUV及其他微影技術(shù)的最佳成本效益的潛力進(jìn)行評(píng)估。

臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義表示,臺(tái)積電利用ASML的TWINSCAN NXE:3100設(shè)備,進(jìn)行更先進(jìn)世代制程技術(shù)的研發(fā)。EUV微影技術(shù)是臺(tái)積電正在研究的次世代微影技術(shù)之一,而導(dǎo)入此項(xiàng)設(shè)備,不但切合臺(tái)積電保持先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)先的目標(biāo),更強(qiáng)化了臺(tái)積電不斷投資于歐洲半導(dǎo)體業(yè)創(chuàng)新的一貫承諾。

由于EUV設(shè)備仍然十分昂貴,相對(duì)應(yīng)的光罩投資金額也十分驚人,22奈米世代的研發(fā)投資幾乎是上一世代28奈米的一倍,所以連芯片龍頭大廠英特爾,至今對(duì)于EUV導(dǎo)入量產(chǎn)仍持保留態(tài)度。不過,一旦全球主要微影設(shè)備廠開始將EUV視為未來重點(diǎn)發(fā)展方向,EUV仍有機(jī)會(huì)在22奈米及更次世代的15奈米,成為微影技術(shù)的重要解決方案。



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