繼臺(tái)積電提高2010年資本支出達(dá)48億美元，晶圓專(zhuān)工大廠聯(lián)電3日亦宣布，提高2010年資本支出達(dá)12億~15億美元，其中約有94%將用于擴(kuò)充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能。聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，聯(lián)電65納米成長(zhǎng)會(huì)非常迅速，45／40納米世代占營(yíng)收比重將增加，同時(shí)良率已很穩(wěn)健。值得注意的是，臺(tái)積電、聯(lián)電紛上看2010年晶圓代工產(chǎn)業(yè)將成長(zhǎng)3成，樂(lè)觀預(yù)期公司可望同步跟著成長(zhǎng)，并加碼資本支出，透露在兩大龍頭廠帶領(lǐng)下，將再度掀起12寸廠投資熱潮。

孫世偉表示，對(duì)于2010年展望非常樂(lè)觀，預(yù)估半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可望成長(zhǎng)13~15%，晶圓專(zhuān)工產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率可達(dá)25~28%，對(duì)于聯(lián)電2010年?duì)I運(yùn)將有非常樂(lè)觀預(yù)期，為因應(yīng)客戶(hù)對(duì)于產(chǎn)能及高階技術(shù)強(qiáng)勁需求，將提高2010年資本支出至12億~15億美元。半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，聯(lián)電 2010年可望跟著晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)腳步，同步成長(zhǎng)3成，與臺(tái)積電預(yù)估2010年成長(zhǎng)幅度相當(dāng)。

事實(shí)上，臺(tái)積電日前公布2010年資本支出達(dá)48億美元，較2009年約暴增7成，聯(lián)電3日預(yù)估2010年資本支出12億~15億美元，亦較業(yè)界所估10億美元為高，半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，臺(tái)積電、聯(lián)電紛積極擴(kuò)產(chǎn)，借以搶攻市占率。聯(lián)電則表示，將會(huì)在市占率與股東權(quán)益報(bào)酬率之間，取得最佳平衡。

針對(duì)2010年資本支出，孫世偉強(qiáng)調(diào)，主要用于建置高階制程產(chǎn)能，包括南科Fab 12A廠45／40納米制程產(chǎn)能，以及持續(xù)導(dǎo)入28納米技術(shù)研發(fā)及試產(chǎn)設(shè)備，以及新加坡Fab 12i廠大幅擴(kuò)充65／55納米制程產(chǎn)能等。此外，聯(lián)電Fab 12A廠第3期無(wú)塵室相關(guān)設(shè)施與機(jī)臺(tái)裝置時(shí)程，將同步加速就緒，并進(jìn)行彈性擴(kuò)充。

不過(guò)，業(yè)界擔(dān)憂(yōu)晶圓雙雄紛加大投資力道，恐造成產(chǎn)能過(guò)剩，孫世偉對(duì)此表示，聯(lián)電經(jīng)過(guò)整體評(píng)估，投資12億~15億美元風(fēng)險(xiǎn)已相對(duì)較低，由于先進(jìn)制程投資甚鉅，摩爾定律可能演進(jìn)趨緩，因此，針對(duì)投資力道與時(shí)機(jī)點(diǎn)，聯(lián)電確實(shí)已相當(dāng)謹(jǐn)慎。此外，全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇步調(diào)的持續(xù)性，以及美國(guó)、大陸相繼考慮調(diào)控措施，對(duì)后續(xù)景氣造成效應(yīng)，仍有待觀察。

此外，聯(lián)電表示，2009年第4季65納米制程比重已占整體營(yíng)收約17%，2010年比重將持續(xù)成長(zhǎng)，同時(shí) 45／40納米世代在上半年將可見(jiàn)到約達(dá)個(gè)位數(shù)營(yíng)收比重貢獻(xiàn)。聯(lián)電自行研發(fā)的高效能40納米邏輯制程，目前已有超過(guò)10家客戶(hù)，涵蓋高階消費(fèi)性電子、通訊、手機(jī)與硬碟各應(yīng)用領(lǐng)域，較65納米還提前1季通過(guò)全生產(chǎn)驗(yàn)證，且良率已穩(wěn)定到可晶圓計(jì)價(jià)出貨。

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