臺積電農歷春節(jié)年前加緊耗資新臺幣數10億元添購機器設備，光是2日便一口氣公告約近60億元添購設備，同時對象包括無塵室等廠務工程以及前段半導體制程微顯影設備，代表臺積電擴產動作才剛要開始，大筆資本支出可望一直延續(xù)讓設備商2010年過個好年冬。臺積電對于擴產也形容，南科Fab 14第4期正如火如荼進行，工程進度將飛快進行。
臺積電2日公告采購機器設備總金額將近60億元，其中包括廠房建設的達欣工程與無塵室管路建設業(yè)者漢唐，以及微顯影設備包括艾斯摩爾(ASML)與尼康(Nikon)。半導體業(yè)者分析，這代表臺積電的擴產動作才剛開始而已，一方面建廠另一方面添購半導體制程的前段關鍵設備，而后續(xù)的搭配制程設備真正的大手筆支出將接踵而至。
臺積電除了新竹Fab 12第5期工程正式上梁，將投入28奈米生產與22奈米研發(fā)外，農歷年后南科的Fab 14第4期工程也將馬上進入動土階段，不過Fab 14第4期將以擴充既有40奈米制程產能為主。45/40奈米與28奈米都已經訂下長遠目標，臺積電董事長張忠謀日前表示，在這2個先進制程臺積電將做為有效產能(effective capacity)供應者。
張忠謀表示，光有產能還不夠，還包括產能的技術能力以及良率也很重要。換句話說，如果光有產能但是良率不足，對于客戶而言也是枉然。臺積電表示，以40/45奈米制程世代而言，希望在2010年底生產良率便可達到全公司的水平，約介于46~49%水平之間。
可編程邏輯芯片(FPGA)業(yè)者Altera預計在2010年將正式推出28奈米FPGA芯片，同時，臺積電日前也宣布與手機芯片業(yè)者高通(Qualcomm)攜手28奈米，預料2大芯片供應商都將是臺積電2010年中28奈米芯片量產的主力客戶群。
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