450mm晶圓，EUV光刻、TSV三項投入應用將推遲至2015-2016年
半導體技術市場權威分析公司ICInsights近日發(fā)布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術以及極紫外光刻技術（EUV）投入實用的時間點將再度后延。
據ICInsights預計，基于450mm技術的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實用化建設--比預期的時間點后延了兩年左右。另外，預計16nm級別制程技術中也不會應用EUV光刻技術，這項技術會被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實用。
另外一項較新的半導體制造技術，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術（TSVs）也仍然處于萌芽狀態(tài)，ICInsight公司的分析師TrevorYancey表示，此前外界似乎過高估計了這項技術的成熟度，目前這項技術要投入實用，還需要解決很多有關測試和成本方面的問題。
這樣的分析結果意味著曾被人們寄予厚望的，能用來延續(xù)摩爾定律壽命的三項新技術：450mm，EUV以及TSVs離投入實用還有一段時間。
450mm技術實用化的后延并不令人感到意外，畢竟轉換到450mm技術需要大量的資金投入，而且眼下經濟危機的陰云還沒有完全散去。據先前的報道，Intel，臺積電以及三星三家公司將各自在2012年前建成自己的450mm試驗用廠房。這幾家公司都希望能在32nm制程節(jié)點上采用450mm晶圓制出展示用樣品，并將在22nm制程節(jié)點上采用450mm晶圓進行小量試產。不過也有人認為450mm工廠永遠也不會投入實用，他們認為相關的研發(fā)費用實在是太高了。
在最近舉辦的半導體產業(yè)策略研討會上（ISS），有傳言稱芯片廠商已經暫時放棄了建設450mm晶圓廠的計劃，并稱有關的計劃只有在15nm節(jié)點制程才有望得以實施。據業(yè)者猜測，經濟危機，缺乏設備制造廠商的有力支持應該是造成計劃拖延的主要因素。
EUV技術方面，由于在光阻膠以及光掩模板等方面仍有技術難題需要克服，因此投入實用的日期也將從原先預計的2013年16nm制程節(jié)點拖后到2015年左右的13nm制程節(jié)點。此前包括Intel和三星在內多家廠商和半導體制造協會均表示，由于資金短缺，和EUV光掩模檢具的匱乏，因此EUV光刻技術的實施日期將后延一段時間。
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