掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章
電子設(shè)計(jì)企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今天宣布推出一款全面的低功耗設(shè)計(jì)流程,面向基于中芯國際65納米工藝的設(shè)計(jì)工程師。該流程以Cadence低功耗解決方案為基礎(chǔ),通過使用一個(gè)單一、全面的設(shè)計(jì)平臺(tái),可以更加快速地實(shí)現(xiàn)尖端、低功耗半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。
“目前,功耗已成為一個(gè)關(guān)鍵的設(shè)計(jì)制約因素,從技術(shù)和成本的角度來說,它同時(shí)序和面積一樣重要”,SMIC設(shè)計(jì)服務(wù)中心副總裁劉明剛表示,“SMIC-Cadence Reference Flow 4.0具有先進(jìn)的自動(dòng)化低功耗設(shè)計(jì)功能,能夠滿足低功耗設(shè)計(jì)創(chuàng)新的需要。”
通過低功耗芯片的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn),完成了對(duì)該設(shè)計(jì)流程的確認(rèn)。上述芯片利用了 SMIC 的內(nèi)部設(shè)計(jì)65納米庫,包括有效的電流源模型(ECSM)標(biāo)準(zhǔn)單元、功耗管理單元、PLL、SRAM 和 I/O 庫。該設(shè)計(jì)中所采用的低功耗技術(shù)包括功率門控和多電源/多電壓(MSMV)技術(shù),可以降低漏電和動(dòng)態(tài)功耗消耗。
“能率對(duì)許多新型半導(dǎo)體產(chǎn)品來說都是一個(gè)關(guān)鍵的要求,然而設(shè)計(jì)者有時(shí)卻認(rèn)為關(guān)注于功耗只是最近才剛剛興起,因而伴隨著很多風(fēng)險(xiǎn)”,Cadence公司產(chǎn)品營銷副總裁 Steve Carlson 表示,“Cadence 低功耗解決方案提供了全面的、經(jīng)過硅驗(yàn)證的從前端到后端的流程,面向基于SMIC的65納米工藝技術(shù)的設(shè)計(jì)者,它包括對(duì)功能和結(jié)構(gòu)的驗(yàn)證,同時(shí)提高了生產(chǎn)率。該解決方案快速、易用并經(jīng)過了實(shí)踐檢驗(yàn)。”
在閾值電壓或低于閾值電壓時(shí),EPAD MOSFET 在稱為亞閾值區(qū)域的工作區(qū)域中表現(xiàn)出關(guān)斷特性。這是 EPAD MOSFET 傳導(dǎo)通道根據(jù)施加的柵極電壓快速關(guān)閉的區(qū)域。由柵電極上的柵電壓引起的溝道呈指數(shù)下降,因此導(dǎo)致漏極...
關(guān)鍵字: 超低壓 MOSFET 低功耗設(shè)計(jì)ALD1148xx/ALD1149xx 產(chǎn)品是耗盡型 EPAD MOSFET,當(dāng)柵極偏置電壓為 0.0V 時(shí),它們是常開器件。耗盡模式閾值電壓處于 MOSFET 器件關(guān)斷的負(fù)電壓。提供負(fù)閾值,例如 –0.40V、-1.3...
關(guān)鍵字: 超低壓 MOSFET 低功耗設(shè)計(jì)尋求在電路設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢(shì),這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn),因?yàn)樗麄冇龅搅嘶景雽?dǎo)體器件特性對(duì)他們施加的限制。長期以來,工程師們一直將這些特性視為基本特性,并可能阻止他們最大限度地?cái)U(kuò)大可...
關(guān)鍵字: 超低壓 MOSFET 低功耗設(shè)計(jì)6月3日,國內(nèi)最先進(jìn)晶圓代工廠商中芯國際,招股書表示,因?yàn)槊绹虅?wù)部修訂直接產(chǎn)品規(guī)則(Foreign-Produced Direct Product Rule),他們?yōu)槟承┛蛻舸し?wù)可能會(huì)受到限制。
關(guān)鍵字: 中芯國際 海思半導(dǎo)體 EDA設(shè)計(jì)以前在工作中,同事遇到一個(gè)問題,LDO輸出接了一個(gè)負(fù)載,負(fù)載有低功耗和普通模式兩種工作模式,低功耗模式時(shí)正常,普通模式時(shí)工作也正常,但是從低功耗切換到普通模式時(shí),卻發(fā)生了異常,測(cè)量得到LDO的輸出電壓波形大約如下,綠色是...
關(guān)鍵字: LDO 低功耗 負(fù)載調(diào)整率