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Jack Sun：臺(tái)積電明年Q1試水28納米工藝

時(shí)間：2009-07-11 19:26:00

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 CK AC 電路

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[導(dǎo)讀]7月9日消息，臺(tái)積電副總裁Jack Sun近日宣布了臺(tái)積電2009年新的R&D發(fā)展戰(zhàn)略。他說，目前臺(tái)積電主要將精力集中于先進(jìn)的CMOS技術(shù)。并且將會(huì)向?qū)ｉT的封裝技術(shù)轉(zhuǎn)移，除此以外還包括有類比電路、RF、電源、圖形感應(yīng)器以及M

7月9日消息，臺(tái)積電副總裁Jack Sun近日宣布了臺(tái)積電2009年新的R&D發(fā)展戰(zhàn)略。

他說，目前臺(tái)積電主要將精力集中于先進(jìn)的CMOS技術(shù)。并且將會(huì)向?qū)ｉT的封裝技術(shù)轉(zhuǎn)移，除此以外還包括有類比電路、RF、電源、圖形感應(yīng)器以及MEMS電路。

臺(tái)積電已經(jīng)與法國半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti簽訂合作協(xié)定，將參與由CEA-Leti主持的IMAGINE產(chǎn)業(yè)研究計(jì)畫，就半導(dǎo)體制造中的無光罩微影技術(shù)進(jìn)行合作。 Jack Sun表示：“通過加入IMAGINE產(chǎn)業(yè)研究計(jì)畫，我們將會(huì)圍繞這項(xiàng)技術(shù)將半導(dǎo)體工業(yè)聯(lián)合起來，加速其在IC生產(chǎn)中的發(fā)展與引進(jìn)速度。”

據(jù)他介紹，臺(tái)積電將會(huì)在2010年一季度試水28nm工藝，量產(chǎn)將會(huì)在2011年實(shí)現(xiàn)。另外臺(tái)積電還表示將會(huì)至少增加30%的研發(fā)人員數(shù)量，當(dāng)前臺(tái)積電的研發(fā)人員數(shù)量為1800人，R&D研發(fā)預(yù)算也將會(huì)增強(qiáng)20%。

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關(guān)鍵字：臺(tái)積電 16nm 俄羅斯 S1000 芯片

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關(guān)鍵字：專利侵權(quán) 三星臺(tái)積電高通公司 337調(diào)查 USITC

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