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[導(dǎo)讀]臺積電(2330-TW)(TSM-US)今(2011)年資本支出將達(dá)78億美元,年增31.4%,主要以提高研發(fā)競爭力為主,公司也在年關(guān)過后宣布,啟動(dòng)18寸晶圓廠投資計(jì)劃,預(yù)計(jì)于2013年導(dǎo)入試產(chǎn)線,2015年以20奈米開始量產(chǎn)。由于先進(jìn)制程客

臺積電(2330-TW)(TSM-US)今(2011)年資本支出將達(dá)78億美元,年增31.4%,主要以提高研發(fā)競爭力為主,公司也在年關(guān)過后宣布,啟動(dòng)18寸晶圓廠投資計(jì)劃,預(yù)計(jì)于2013年導(dǎo)入試產(chǎn)線,2015年以20奈米開始量產(chǎn)。

由于先進(jìn)制程客戶需求強(qiáng)勁,臺積電也指出,降低客戶成本,就可提高產(chǎn)品競爭力,相對的客戶下單量也會(huì)增加,進(jìn)一步就鞏固了臺積電的市占率。因此,臺積電率先啟動(dòng)18寸晶圓廠投資計(jì)劃,預(yù)料將以20奈米導(dǎo)入,制程技術(shù)將超越英特爾的22奈米,也成為繼英特爾之后,全球第2家投資18寸廠確定的半導(dǎo)體大廠。

此外,臺積電也和無線連接、定位與音訊平臺領(lǐng)導(dǎo)廠商CSR擴(kuò)大合作關(guān)系,CSR已采用臺積電先進(jìn)的90奈米嵌入式快閃記憶體制程技術(shù)、矽智財(cái)與射頻CMOS制程推出新一代的無線產(chǎn)品,比上一代0.18微米制程技術(shù)與矽智財(cái)快2倍,非常符合可攜式通訊、智慧卡,和高速微控制器等應(yīng)用的需求。

臺積電全球業(yè)務(wù)暨行銷資深副總經(jīng)理陳俊圣指出,此次與CSR的技術(shù)合作是臺積電促進(jìn)歐洲邏輯IC創(chuàng)新承諾的例證,臺積的90奈米嵌入式快閃記憶體制程技術(shù)與矽智財(cái)支援高效能、低功耗和高密度記憶體,搭配本公司射頻CMOS制程,協(xié)助CSR推出新一代系統(tǒng)單晶片產(chǎn)品。

CSR營運(yùn)執(zhí)行副總裁ChrisLadas強(qiáng)調(diào),CSR和臺積電在這次90奈米嵌入式快閃記憶體制程技術(shù)的密切合作,使得CSR維持領(lǐng)先開發(fā)彈性、整合度高的SoC平臺,為消費(fèi)性電子音訊應(yīng)用提供杰出的系統(tǒng)效能和最小尺寸的競爭優(yōu)勢。
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據(jù)業(yè)內(nèi)消息,臺積電目前規(guī)劃在日本的產(chǎn)能擴(kuò)充,并且將生產(chǎn)先進(jìn)制程工藝,除了現(xiàn)在熊本縣的工廠之外,日本政府也歡迎臺積電在日本其他地方進(jìn)行進(jìn)一步規(guī)劃選址。雖然臺積電目前沒有做出明確的表態(tài),但是正在研究可行性。

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早前,就有消息稱臺積電或?qū)⒃?月份正式量產(chǎn)3nm工藝,預(yù)計(jì)于第三季下旬投片量將會(huì)有一個(gè)大幅度的拉升,而第四季度的投片量會(huì)達(dá)到上千的水準(zhǔn)并且正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。

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周四美股交易時(shí)段,受到“臺積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響,包括英偉達(dá)、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開盤,但在隨后兩個(gè)小時(shí)內(nèi)紛紛暴力拉漲,多家千億美元市值的巨頭較開盤低點(diǎn)向上漲幅竟能達(dá)到10%。

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12 月 15 日消息,英特爾 CEO 基辛格近日被曝光訪問臺積電,敲定 3 納米代工產(chǎn)能。此外,digitimes 放出了一張來源于彭博社的數(shù)據(jù),曝光了臺積電前 10 大客戶營收貢獻(xiàn)占比。

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雖然說臺積電、聯(lián)電廠房設(shè)備安全異常,并不會(huì)因?yàn)橐淮螐?qiáng)臺風(fēng)產(chǎn)生多大損傷。但強(qiáng)臺風(fēng)造成的交通機(jī)場轉(zhuǎn)運(yùn)、供水供電影響,對于這些半導(dǎo)體大廠來說也可謂是不小的麻煩。

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近日,在加利福尼亞州圣何塞舉行的三星代工論壇上,三星電子公布了其芯片制造業(yè)務(wù)的未來技術(shù)路線圖,宣布在2025年開始大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝,更先進(jìn)的1.4nm工藝則預(yù)計(jì)會(huì)在2027年投產(chǎn),主要面向高性能計(jì)算和人工智能等應(yīng)用。

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