如果說當前TD終端產(chǎn)業(yè)發(fā)展的阻力有哪些？待機時間短和售價偏高是一大障礙。與此直接相關的，便是上游TD芯片的高功耗和高成本。
1月19日，主流TD芯片供應商之一，展訊通信有限公司（納斯達克：SPRD）在北京高調(diào)宣布，全球首款采用40納米工藝的TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片已研發(fā)成功，并正式投入商用。
據(jù)了解，目前聯(lián)芯科技、T3G、聯(lián)發(fā)科等主流TD芯片供應商，基本采用65納米、甚至90納米工藝制程，其成本和功耗居高不下，一直是TD終端發(fā)展的一大阻力。
“采用40納米工藝的TD芯片，其功耗能降低30%，成本降低50%。”在展訊董事長李力游看來，一旦40納米芯片規(guī)模化的推向商用市場，TD終端產(chǎn)品的制造門檻和成本有望大幅降低。
目前尚不知該款TD芯片的最終市場定價。但來自展訊內(nèi)部的多個渠道消息顯示，基于40納米工藝，手機成本可以做到與2.75G終端成本相當——這意味著TD手機終端價格有望降到100美金以下。目前TD手機市場價至少在千元以上。
更為值得關注的是，TD上游芯片市場的格局，可能由此生變。
在目前的TD手機芯片市場，聯(lián)芯科技（與聯(lián)發(fā)科合作TD芯片）和T3G兩家占據(jù)超過70%以上的市場份額，展訊份額約25%。市場研究機構iSuppli中國研究總監(jiān)王陽認為，隨著40納米TD芯片的推出，展訊的市場份額有望得到提升。
與此相關的一個產(chǎn)業(yè)背景是，聯(lián)芯科技與聯(lián)發(fā)科基于TD芯片的合作，早已出現(xiàn)裂痕。聯(lián)芯科技獨立研發(fā)的TD芯片已開始商用，而聯(lián)發(fā)科與傲世通合作的TD芯片也計劃于本季度正式上市。
可以預見，今年上半年TD芯片市場難免一場惡戰(zhàn)。
一位芯片設計公司高層分析，聯(lián)芯科技與聯(lián)發(fā)科的分道揚鑣，讓各自的產(chǎn)品線都處在“左右互搏”的尷尬境地，而T3G的TD芯片成本偏高一直為其市場軟肋：“選在這個時點推出40納米TD芯片，展訊抓住了一個相對有利的時機。”
這正是展訊CEO李力游的“算盤”。據(jù)李力游透露，按照原定的研發(fā)計劃，展訊原本打算延續(xù)65納米的工藝制程，“但考慮到功耗和成本依舊偏高，即便推出65納米TD芯片，展訊在市場上也不占優(yōu)勢?！?br /> 基于此，展訊決定直接研發(fā)40納米工藝TD芯片?！氨M管風險巨大，但時不我待。”一位展訊內(nèi)部人士如此形容TD芯片市場競爭的急迫狀態(tài)。
事實上，各大TD芯片供應商也在暗自角力。據(jù)了解，聯(lián)芯科技、T3G和聯(lián)發(fā)科，目前也有更高工藝制程的TD芯片研發(fā)計劃?！鞍凑照５难邪l(fā)周期測算，一般要在一年半到兩年時間?！崩盍τ握J為，在TD芯片性價比上，“展訊將有至少領先一年的時間差?！?br /> 據(jù)悉，目前包括高通、博通在內(nèi)，全球主流的3G芯片商用產(chǎn)品，一般集中在65納米工藝，少數(shù)產(chǎn)品達到45納米工藝。
最新消息顯示，包括青島海信、華為終端公司在內(nèi)的多家手機廠商，已經(jīng)開始采用展訊此款芯片，并通過了工信部的入網(wǎng)檢測和中國移動的入庫檢測?！捌渥罱K的性能是否達到大規(guī)模商用化的要求，還有待市場檢驗。”有業(yè)內(nèi)人士分析。_MUI.ready(function(){ _MI.WebSCard.build('mbSourceCard','qqcom.dp.titleinfo'); _MI.WebSCard.build('Cnt-Main-Article-QQ','qqcom.dp.keyword','.a-tips-Article-QQ');})|xGv00|4397287d4eec53e9b3d1b020226ca144