[導讀]2010年大陸因市場需求勁揚5成，產(chǎn)能受限，導致部分金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)的訂單出現(xiàn)出貨時間遞延的現(xiàn)象，英飛凌(Infineon)、意法半導體(STMicroel
2010年大陸因市場需求勁揚5成，產(chǎn)能受限，導致部分金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)的訂單出現(xiàn)出貨時間遞延的現(xiàn)象，英飛凌(Infineon)、意法半導體(STMicroelectronics)與快捷(Fairchild)等主要供應商皆面臨類似挑戰(zhàn)。
2010年大陸能源MOSFET市場規(guī)模達24億美元，較2009年的16億美元成長53%左右。業(yè)界紛紛認為，因供應商新建產(chǎn)線仍有待投產(chǎn)，預期特定MOSFET與封裝產(chǎn)品在2010年缺貨、訂單出貨時間延長的光景，將持續(xù)至2011年。
2009年能源MOSFET產(chǎn)值以資料處理、消費性電子與通訊等為市場主要需求來源，占整體比重分為41%、25%、23%。
2010年時因大陸當局鼓勵產(chǎn)業(yè)投資架設新式通訊網(wǎng)路，通訊產(chǎn)業(yè)有線與無線業(yè)務總計為本土能源MOSFET市場創(chuàng)造了6.17億美元，較2009年的3.65億美元成長近7成左右，同一時期的消費性電子貢獻產(chǎn)值約為5.7億美元。其中汽車電子業(yè)務需求勁揚，相關業(yè)務規(guī)模較2009年攀升64%，于2010年上探1.01億美元。
此外，低電壓MOSFET為能源MOSFET市場成長主要動力，主要原因為通訊產(chǎn)業(yè)與資料處理市場對于低電壓MOSFET應用需求揚升所致! ，約于2009年把持近5成左右市場，于2011年將持續(xù)主導能源MOSFET發(fā)展。
?于2010年能源MOSFET需求成長力道強勁，第4季方見市場需求上升速度趨緩，預估市場需求將于2011年第1季觸底，于同年4月起? |適度成長。
不少市場調(diào)查機構(gòu)估算，2009~2014年間，能源MOSFET的復合年均成長率(Compound Annual Growth Rate；CAGR)約可達到2成左右。
2010年大陸能源MOSFET市場規(guī)模達24億美元，較2009年的16億美元成長53%左右。業(yè)界紛紛認為，因供應商新建產(chǎn)線仍有待投產(chǎn)，預期特定MOSFET與封裝產(chǎn)品在2010年缺貨、訂單出貨時間延長的光景，將持續(xù)至2011年。
2009年能源MOSFET產(chǎn)值以資料處理、消費性電子與通訊等為市場主要需求來源，占整體比重分為41%、25%、23%。
2010年時因大陸當局鼓勵產(chǎn)業(yè)投資架設新式通訊網(wǎng)路，通訊產(chǎn)業(yè)有線與無線業(yè)務總計為本土能源MOSFET市場創(chuàng)造了6.17億美元，較2009年的3.65億美元成長近7成左右，同一時期的消費性電子貢獻產(chǎn)值約為5.7億美元。其中汽車電子業(yè)務需求勁揚，相關業(yè)務規(guī)模較2009年攀升64%，于2010年上探1.01億美元。
此外，低電壓MOSFET為能源MOSFET市場成長主要動力，主要原因為通訊產(chǎn)業(yè)與資料處理市場對于低電壓MOSFET應用需求揚升所致! ，約于2009年把持近5成左右市場，于2011年將持續(xù)主導能源MOSFET發(fā)展。
?于2010年能源MOSFET需求成長力道強勁，第4季方見市場需求上升速度趨緩，預估市場需求將于2011年第1季觸底，于同年4月起? |適度成長。
不少市場調(diào)查機構(gòu)估算，2009~2014年間，能源MOSFET的復合年均成長率(Compound Annual Growth Rate；CAGR)約可達到2成左右。
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