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[導讀]臺積電12日宣布,以29億元買下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房,做為20納米以下先進制程的新基地。力晶29億元落袋,可提升現(xiàn)金部位,抵抗DRAM市況寒冬。市場原估計交易金額逾30億元,實際以29億元成交。外界認為

臺積電12日宣布,以29億元買下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房,做為20納米以下先進制程的新基地。力晶29億元落袋,可提升現(xiàn)金部位,抵抗DRAM市況寒冬。

市場原估計交易金額逾30億元,實際以29億元成交。外界認為,力晶此次「認賠賣廠」,帳面損失約4.18億元,透露DRAM價格暴跌,顯示業(yè)者壓力甚大,急需現(xiàn)金挹注。

臺積電指出,這次交易金額將采分期方式付款,力晶預期,第一批帳款最快本季即可入帳。

DRAM價格去年第四季大跌逾五成,元月上旬1GbDDR3合約均價下探0.91美元的歷史低點,價格僅剩去年同期約三成。力晶表示,DRAM市況低迷,公司短期內(nèi)暫無新增產(chǎn)能需求,將竹科三五路興建中的建物出售。力晶近期并陸續(xù)處分非核心事業(yè)持股求現(xiàn),第一波處分力積持股3,571張,獲利2.56 億元,昨天并申報轉讓晶相光持股1,189張。

臺積電表示,買下力晶竹科三五路建物與建地后,將是旗下Fab12第七期基地,以 20納米以下先進制程為主要技術,裝機時間視客戶需求。加上去年8月向世界先進購入的Fab12第六期,三年前竹科管理局釋出的竹科三五路22公頃土地,全數(shù)由臺積電統(tǒng)包。設備商預估,以一期12寸廠月產(chǎn)能平均4萬至5萬片估計,臺積電取得世界先進、力晶兩塊地后,位于竹科Fab12,總月產(chǎn)能最高上看 25萬片,超過去年竹科與南科月產(chǎn)能總和,可紓解臺積電12寸產(chǎn)能吃緊。

力晶去年前三季手中現(xiàn)金與約當現(xiàn)金約53億元,去年第四季DRAM價格大跌,現(xiàn)金流入瞬間大減。力晶原規(guī)劃發(fā)行全球存托憑證(GDR)籌資,但遭主管機關退件,力晶賣廠后可進一步強化公司現(xiàn)金水位。

<strong>臺積電</strong>12寸<strong>晶圓廠</strong>最新規(guī)劃概況

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