[導讀]EDN雜志將Alverstone PCM產(chǎn)品的Numonyx(恒憶)設計團隊評選為其2009年度創(chuàng)新者(Innovator of the Year)!EDN創(chuàng)新獎是電子行業(yè)最負盛名的獎項之一,Numonyx從業(yè)界數(shù)百家提名廠商中脫穎而出,擊敗了其它四個門類中,
EDN雜志將Alverstone PCM產(chǎn)品的Numonyx(恒憶)設計團隊評選為其2009年度創(chuàng)新者(Innovator of the Year)!EDN創(chuàng)新獎是電子行業(yè)最負盛名的獎項之一,Numonyx從業(yè)界數(shù)百家提名廠商中脫穎而出,擊敗了其它四個門類中,包括Intrinsity、MontaVista、Synopsys,和Xilinx在內(nèi)的最終候選廠商。
EDN創(chuàng)新獎涵蓋超過30個相關技術門類,“年度創(chuàng)新者”大獎則是其中最高榮譽。Numonyx于EDN雜志4月26日在美國加州San Jose市舉辦的第20屆年度創(chuàng)新獎典禮上獲此殊榮。
EDN:《PCM是存儲技術40年來最顯著的進步》
EDN近期公布了提名廠商的概況信息,與Numonyx相關的內(nèi)容請見如下連接: http://www.edn.com/info/CA6718222.html?industryid=49169
恒憶的研發(fā)團隊推出的“Alverstone”是存儲業(yè)界首個應用了相變存儲(PCM)技術的商用器件。PCM代表了存儲技術40年來最顯著的進步,其綜合了通常NOR閃存、NAND閃存、RAM或EEPROM等技術中最優(yōu)異的特性,實現(xiàn)了可變位(Bit-alterable)的,且具有高讀寫速度,和高耐久性等優(yōu)秀性能的非易失性技術。由于PCM的機制采用了物理狀態(tài)的改變,而非電子儲存,因此不斷萎縮的光刻技術不構成任何問題。事實上,更小規(guī)模的光刻技術更加適合PCM,因為不同狀態(tài)間的轉換僅需要較少的材料,這樣會使改變一個PCM位所需的功耗顯著減少。一貫的可靠性和低功耗特性給予了PCM超越目前存儲技術的優(yōu)勢;其擴展到45納米制造節(jié)點,遠遠超出了NOR和NAND技術未來可望達到的工藝水平。Alverstone凝結著9年的廣泛探索和研發(fā),將全新的存儲概念和原理帶入量產(chǎn),代表了PCM技術商業(yè)化進程的第一步。
EDN關于Numonyx 的信息還包含PCM研發(fā)團隊的照片,包括Greg Atwood、Duane Mills、 Rich Fackenthal、Roberto Bez、Roberto Gastaldi,和Fabio Pellizzer。
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