集邦科技(DRAMeXchange)于今年臺北國際電腦展(Computex Taipei 2009)舉辦研討會，與來自二十多個國家的內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)廠商及眾多相關(guān)業(yè)界人士，分別就全球DRAM、NAND Flash產(chǎn)業(yè)以深入探討。

集邦內(nèi)存研究部副總楊雅欣(Joyce Yang)表示，受到2009下半年P(guān)C OEM廠商減少庫存量，DRAM廠提高產(chǎn)能利用率的影響，市場會有價格方面的壓力。預(yù)估2009年供應(yīng)方面的位成長率小于10%，而需求方面的位成長率則是小于20%。

楊雅欣預(yù)估，全球DRAM的產(chǎn)能將維持穩(wěn)定的年成長率，同時50nm制程的轉(zhuǎn)換是供給方面成長的關(guān)鍵因素。她進(jìn)一步指出，2010年可能會出現(xiàn)DRAM供給方面位成長率達(dá)到20%或30%的情況，而需求方面的位成長率仍小于20%，原因是微軟新操作系統(tǒng)Windows7較低的內(nèi)存用量，以及PC市場的變動。

楊雅欣進(jìn)一步指出，若DRAM轉(zhuǎn)移到DDR3規(guī)格的需求速度加快，超過DDR3供應(yīng)方面產(chǎn)能，這種情況下會造成DDR3供給的短缺現(xiàn)象，有助于2010年平均產(chǎn)品單價(ASP)的成長。

集邦科技NAND Flash分析師陳有裕(Wayne Chen)則指出，在2009上半年供貨商方面采取減產(chǎn)計劃，加上中國市場需求的適時帶動，NAND Flash價格已經(jīng)從2008年的重挫下復(fù)原回來，止跌并回升到芯片成本附近。

他預(yù)估2009年NAND Flash需求會逐漸回溫，供貨商產(chǎn)能與新技術(shù)也會做出調(diào)整，并藉由SSD等新應(yīng)用擴(kuò)大應(yīng)用領(lǐng)域，讓市場供需狀況趨于平衡。他也預(yù)估從2009年開始到 2012年，全球NAND Flash產(chǎn)值的年成長率會持續(xù)攀升，2012年時年成長率將近3成。

快閃記憶卡供貨商新帝 (SanDisk)全球產(chǎn)品營銷總監(jiān)Doreet Oren在該研討會也表示，提出該公司在SSD領(lǐng)域長期耕耘的心得與看法，特別是Netbook的市場趨勢、SSD效能方面的挑戰(zhàn)，以及探究SSD的典型使用情境。并預(yù)計電信搭售Netbook需求量將在2010年暴增。

Sandisk也于本次研討會中介紹了nCache技術(shù)，可提升SSD效率，以及量測SSD的新指標(biāo)vRPM，認(rèn)為高IOPS (每秒輸出入能力)才會有更佳的使用者經(jīng)驗。

SSD控制芯片供貨商智微科技(JMicron)執(zhí)行長劉立國則在論壇發(fā)表演說，分享來自于儲存設(shè)備控制器廠商的觀點，從SSD效能根本的關(guān)鍵與可能衍生的問題著手，提供關(guān)于SSD應(yīng)用與設(shè)計第一手的情報。

該公司預(yù)估SSD的傳輸接口會繼續(xù)往上，NAND Flash制程除了進(jìn)步到3X nm為主流外，還會到2X NM，控制IC對于Flash芯片的兼容性很重要，同時也必須提高ECC容錯能力到15bit或24bit。

此外硬盤廠日立環(huán)球儲存科技(Hitachi GST)臺灣地區(qū)及上海區(qū)總經(jīng)理劉士維表示，企業(yè)級儲存系統(tǒng)的金字塔頂是SSD，其次是重要應(yīng)用所需的2.5寸1.5萬轉(zhuǎn)SAS系統(tǒng)、日常應(yīng)用所需的2.5寸或3.5寸7,200轉(zhuǎn)SATA/SAS，最后是儲存?zhèn)浞萦玫拇艓А⒐鈱W(xué)硬盤儲存裝置。

日立預(yù)估2010年時，全球企業(yè)用SSD市場中，服務(wù)器領(lǐng)域比重達(dá)7成，儲存數(shù)組達(dá)3成比重。平均容量價格方面，日立預(yù)估SSD在2009年每GB約20美元的價格，將降低到2012年的每GB約3美元。