[導(dǎo)讀]據(jù)DigiTimes網(wǎng)站報道,DRAM報價跌破現(xiàn)金成本,引爆一波減產(chǎn)風(fēng)潮,繼力晶和爾必達(Elpida)宣布減產(chǎn),海力士(Hynix)也宣布將包括清州M9廠和大陸無錫HC1廠的8寸晶圓廠生產(chǎn)喊停,期望能防止公司營運進一步流血,合計海力
據(jù)DigiTimes網(wǎng)站報道,DRAM報價跌破現(xiàn)金成本,引爆一波減產(chǎn)風(fēng)潮,繼力晶和爾必達(Elpida)宣布減產(chǎn),海力士(Hynix)也宣布將包括清州M9廠和大陸無錫HC1廠的8寸晶圓廠生產(chǎn)喊停,期望能防止公司營運進一步流血,合計海力士、力晶、爾必達3家DRAM廠減產(chǎn)幅度約占全球產(chǎn)能6%。DRAM業(yè)者認為,各廠紛響應(yīng)減產(chǎn),絕對是DRAM產(chǎn)業(yè)邁向供需平衡的好開始,但這樣的減產(chǎn)幅度還不夠,需要再有廠商減產(chǎn),因為供給下降的同時,其實終端需求也是同步減少。
隨著DRAM價格一再破底,DRAM廠持續(xù)面臨現(xiàn)金凈流出窘境,使得各廠開始面臨減產(chǎn)的重要轉(zhuǎn)折點,期望能藉由壯士斷腕方式,來保存在這波產(chǎn)業(yè)景氣大蕭條中,持續(xù)存活的機會點?;仡欉^去DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程,往往都是各家業(yè)者肆無忌憚地擴產(chǎn),受到嚴重供過于求打擊后,在紛紛減產(chǎn)及縮小營運規(guī)模之后,DRAM產(chǎn)業(yè)才再度邁向供需平衡。
這次DRAM產(chǎn)業(yè)面臨嚴苛考驗,繼力晶和爾必達宣布減產(chǎn)后,韓系大廠海力士亦決定加速淘汰8寸晶圓廠,不僅是按照原訂計畫關(guān)閉美國奧勒岡州Eugene的8寸晶圓廠,位于韓國清州(Cheongju)M9廠,以及大陸無錫HC1廠也將停止營運,至于其韓國仁川(Icheon)M7廠,也將在9月底關(guān)閉。
DRAM廠表示,這次減產(chǎn)風(fēng)潮雖不能達到立竿見影效果,但算是好的開始,代表各界紛紛正視產(chǎn)業(yè)嚴重供過于求情況,若廠商再硬撐生產(chǎn)下去,恐怕虧損金額只會越來越驚人,DRAM產(chǎn)業(yè)恐將永遠無法逆轉(zhuǎn)。集邦科技則認為,估計這次3家DRAM廠減產(chǎn)產(chǎn)能共占全球產(chǎn)能5~6%,但要真正脫離DRAM谷底,預(yù)計還需要減少約4.5萬~6萬片,因此,后續(xù)各廠減產(chǎn)計畫,對整個產(chǎn)業(yè)具關(guān)鍵性影響。
存儲器業(yè)者則認為,這次面臨的是生存之戰(zhàn),尤其是臺DRAM廠從2008年底到2009年初之間,需要清還債務(wù)不少,若是DRAM產(chǎn)業(yè)再不進入止跌期,恐怕連生存機會都沒有。
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據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲器需求明顯下滑而延緩采購,導(dǎo)致供應(yīng)商庫存壓力進一步升高。同時,各DRAM供應(yīng)...
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消費性
DRAM
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DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
10月5日訊當?shù)貢r間周二(10月4日),美國最大內(nèi)存芯片制造商美光科技在官網(wǎng)宣布,公司計劃在紐約州中部打造一個巨型晶圓廠,以促進在美存儲芯片的生產(chǎn)。
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美光科技
巨型
晶圓廠
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會上公布了未來的3大規(guī)劃方向,其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無晶圓廠的整體解決方案。
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存儲
三星
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DRAM
據(jù)韓媒報道,在日前舉辦的行業(yè)活動上,IDC韓國副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計,存儲半導(dǎo)體市場的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示,今年的市場需求較最初預(yù)期更為糟糕,預(yù)計來年三季度DRAM和NAN...
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SSD
DRAM
IDC
INSIGHT
與其他類型的半導(dǎo)體相比,存儲芯片的競爭廠商數(shù)量更多,而且芯片本身的差異化程度較低,這使得存儲芯片更加商品化,對需求變化也就更加敏感。存儲芯片通常是第一個感受到需求變化并出現(xiàn)價格下跌的組件。
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存儲芯片
半導(dǎo)體
DRAM
半導(dǎo)體景氣下行已延伸至最上游的硅晶圓材料領(lǐng)域。近期8寸硅晶圓市況“急轉(zhuǎn)直下”,后續(xù)12寸硅晶圓產(chǎn)品也難逃沖擊。預(yù)期客戶端于第四季度到明年第一季度將調(diào)整庫存。有部分硅晶圓廠商已同意一些下游長約客戶的要求,可延后拉貨時程,但...
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愛思開海力士·英特爾DMTM半導(dǎo)體(大連)有限公司非易失性存儲器項目在大連金普新區(qū)舉行開工儀式。該項目將建設(shè)一座新的晶圓工廠,從事非易失性存儲器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商SK海力士已在中國市場深...
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數(shù)個月前,英特爾宣布將斥資 200 億美元在俄亥俄州建造兩座先進制程晶圓廠,并表示其投資“在未來十年內(nèi)可能增長到高達 1000 億美元”,但這部分取決于關(guān)于聯(lián)邦的芯片補貼。由于此前美國芯片法案遲遲未能獲得通過,英特爾在6...
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英特爾
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基辛格
據(jù)彭博社報導(dǎo),為制造制程更先進、耗電更少的芯片,往往制造需要大量的電力。光刻機巨頭ASML最先進極紫外(EUV)光刻機,每臺預(yù)估耗電1MW(megawatt,百萬瓦),約為前幾代設(shè)備的10 倍,加上制造先進制程芯片還沒有...
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臺積電
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晶圓廠
Sep. 22, 2022 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲器需求明顯下滑而延緩采購,導(dǎo)致供應(yīng)商庫...
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TrendForce集邦咨詢
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(全球TMT2022年9月22日訊)DRAM市場出現(xiàn)急劇下滑 研究機構(gòu)IC Insights日前表示,DRAM市場出現(xiàn)急劇下滑。6月份全球DRAM產(chǎn)品銷售額環(huán)比下滑36%,7月份再次環(huán)比下滑21%,較5月...
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DRAM
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手機
據(jù)統(tǒng)計,隨著Intel閃存業(yè)務(wù)被SK海力士收購,韓國企業(yè)三星+SK海力士合計占市場份額已經(jīng)超過50%。
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閃存
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Aug. 29, 2022 ---- 由于過去兩年疫情造成生活形態(tài)改變,遠程教育需求增長,電子產(chǎn)品銷售暢旺,帶動DRAM模組的出貨增長,據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計,2021年全球DRAM模組市場整體銷售額達181...
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TrendForce集邦咨詢
DRAM
8月20日消息,據(jù)國外媒體報道,在消費電子產(chǎn)品領(lǐng)域業(yè)務(wù)廣泛的三星電子,在終端產(chǎn)品及關(guān)鍵零部件方面都實力強勁,他們也是當前全球最大的存儲芯片制造商,在DRAM和NAND閃存市場的份額都遠高于其他廠商。
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三星
DRAM
面板
存儲器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支,約占全球半導(dǎo)體市場的四分之一至三分之一。存儲器已經(jīng)形成主要由DRAM與Flash構(gòu)成的超千億美元的市場。盡管存儲器產(chǎn)品品類眾多,但從產(chǎn)品營收貢獻的角度來看,DRAM和Flash(NAND、N...
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DRAM
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JSR株式會社(JSR Corporation)今天宣布加速與SK hynix Inc.的合作開發(fā)進程,以便將JSR旗下公司Inpria的極紫外光刻(EUV)金屬氧化物抗蝕劑(MOR)應(yīng)用于制造先進的DRAM芯片。Inp...
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DRAM
金屬氧化物抗蝕劑
EUV
Jul. 7, 2022 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,晶圓代工廠浮現(xiàn)砍單浪潮,首波訂單修正來自大尺寸Driver IC及TDDI,兩者主流制程分別為0.1Xμm及55nm。盡管先前在MCU、PMIC等產(chǎn)...
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TrendForce集邦咨詢
晶圓廠
臺積電在美國建設(shè)的5nm晶圓廠日前取得了重要進展,位于美國亞利桑那州的Fab 21工廠舉行了上梁典禮。
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