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[導(dǎo)讀]旺年華(Avanlane)公司日前宣布,與通芯微電子(Go2silicon)公司簽署代理協(xié)議,合作推廣通芯微電子公司產(chǎn)品。 通芯微電子(Go2silicon)有限公司成立于硅谷,專注于模擬和混合信號(hào)集成電路芯片的設(shè)計(jì)開發(fā),通芯微電子創(chuàng)

旺年華(Avanlane)公司日前宣布,與通芯微電子(Go2silicon)公司簽署代理協(xié)議,合作推廣通芯微電子公司產(chǎn)品。

通芯微電子(Go2silicon)有限公司成立于硅谷,專注于模擬和混合信號(hào)集成電路芯片的設(shè)計(jì)開發(fā),通芯微電子創(chuàng)新設(shè)計(jì)的低功耗、高性能D類音頻功率放大器,可使客戶開發(fā)成本更低、品質(zhì)更高具有競爭力的消費(fèi)類電子產(chǎn)品。Go2silicon的尖端設(shè)計(jì)并生產(chǎn)的D類音頻功率放大器可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、MP3 MP4播放器、PDA等產(chǎn)品上。

旺年華(Avanlane)電子有限公司將Go2silicon公司的GSI8010A和GSI8890A納入庫存,此兩款產(chǎn)品都是具有高性能低成本的D類音頻功率放大器。旺年華公司為美國Mouser在中國的合作伙伴,有著分銷領(lǐng)域的本土優(yōu)勢,并擁有20萬個(gè)設(shè)計(jì)工程師的廣大客戶群。其銷售渠道以及對音頻功率放大器的專業(yè)定位,可為國內(nèi)客戶提供便捷的D類音頻功率放大器解決方案及技術(shù)支持。

GSI8010A是一個(gè)低成本、低功耗、低EMI的單聲道D類音頻功率放大器,可完全替代TPA2010、NCP2820、MAX9700。該芯片利用其專利ESF(EMI Suppression Function)技術(shù)和架構(gòu),使其具有更強(qiáng)的抗電磁干擾能力。并具有先進(jìn)的盲區(qū)控制維持和低THD+N性能。GSI8010A采用CSP封裝,無需在輸出端使用耦合電容。且為無濾波器的D類音頻功率放大器,并提供過熱和短路保護(hù)。其可驅(qū)動(dòng)4歐的負(fù)載并提供2.5W的功率,工作效率高于85%,并僅需3個(gè)外圍器件。GSI8010A具有高達(dá)-75dB的電源抑制比(PSRR),低至0.2%的總諧波失真加噪聲(THD+N)及90dB的信噪比,并內(nèi)嵌有click and pop抑制電路,降低在啟動(dòng)與停止時(shí)可聽見的噪音。

GSI8890是一款具有高效率、低功耗、低電磁干擾,擁有2.5W輸出的音頻放大器芯片。該芯片節(jié)省了輸出端的耦合電容,為便攜式音頻播放器節(jié)省了空間和成本,其工作電壓為2.5V-5.5V。其可驅(qū)動(dòng)4歐的負(fù)載并提供2.5W的功率,工作效率高于85%。該芯片利用其專利ESF(EMI Suppression Function)技術(shù)和架構(gòu),使其具有更強(qiáng)的抗電磁干擾能力。并具有先進(jìn)的盲區(qū)控制維持和低THD+N性能.其無需濾波器,并僅需三個(gè)外圍器件,并提供過熱和短路保護(hù)。GSI8890A具有-70dB的電源抑制比(PSRR)和低至0.04%的總諧波失真加噪聲(THD+N)及85dB的信噪比(SNR)。并內(nèi)嵌有click and pop抑制電路,降低在啟動(dòng)與停止時(shí)可聽見的噪音。其可替代LM4890, LM4990,但在INN(A1)腳與VOUTN(C2)腳之間是無需接電阻的。GSI8890可以對輸入音頻信號(hào)源選擇不同的增益,同時(shí)具有休眠模式,使其功耗達(dá)到最小。此芯片廣泛適用于低功耗、低電壓的便攜式音頻播放設(shè)備。

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