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[導讀]IBM和NEC電子日前宣布,雙方已簽署一項關于共同開發(fā)下一代半導體工藝技術的多年期協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,NEC電子將參與開發(fā)32納米節(jié)點上的下一代核心CMOS工藝,以及參與關于未來領先半導體技術的高級基礎研究。 加入IB

IBMNEC電子日前宣布,雙方已簽署一項關于共同開發(fā)下一代半導體工藝技術的多年期協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,NEC電子將參與開發(fā)32納米節(jié)點上的下一代核心CMOS工藝,以及參與關于未來領先半導體技術的高級基礎研究。

加入IBM芯片研發(fā)計劃的其它廠商還有新加坡的特許半導體、飛思卡爾半導體、英飛凌、三星、意法半導體和東芝。

NEC電子目前正在與東芝聯(lián)合開發(fā)45納米和32納米CMOS芯片生產(chǎn)工藝技術?,F(xiàn)在,NEC把與IBM及其聯(lián)盟伙伴之間的合作擴展到了32納米和更細節(jié)點。IBM表示,除了開發(fā)一種通用工藝平臺,NEC電子還計劃與IBM及其它聯(lián)盟伙伴合作,以加強系統(tǒng)芯片的開發(fā)和設計能力。

NEC公司CEO Nakajima說:“與IBM達成的新協(xié)議意味著NEC電子將攜手行業(yè)領導者開發(fā)一種通用半導體制造工藝,從而允許我們致力于第一個推出eDRAM以及SOC解決方案,為我們的客戶提供附加值,如高可靠性與低功耗?!?

相關工作將在IBM在紐約州East Fishkill的300毫米半導體加工廠和紐約州立大學阿爾巴尼分校的納米科學和工程學院進行。

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