此前,研究人員發(fā)展了銅和銀修飾方法來代替金作為有機場效應(yīng)的源漏電極并得到了高性能器件,之后通過納米結(jié)構(gòu)電極的構(gòu)筑,研究了電極形貌與器件性能的關(guān)系。近期,該實驗室在低成本高性能有機場效應(yīng)晶體管的研究方面又取得新進展,他們利用低功函數(shù)的銅為源漏電極制備了高性能的上電極結(jié)構(gòu)的有機場效應(yīng)晶體管。

對于有機光電器件,電極的功函和有機半導(dǎo)體的能級決定了載流子的注入,并在很大程度上影響器件的性能。金電極能夠和大多數(shù)p型有機半導(dǎo)體形成良好的接觸,從而被廣泛用作p型有機場效應(yīng)晶體管的源漏電極。通過系統(tǒng)的實驗設(shè)計和器件表征發(fā)現(xiàn),銅電極在蒸鍍是空氣儲存的過程中會形成少量的銅的氧化物,這有利于降低載流子注入的勢壘和提高器件的性能。此外,良好的電極/半導(dǎo)體接觸也是銅上電極器件具有高性能的原因。這一研究為有機場效應(yīng)晶體管的實用化奠定了良好的基礎(chǔ)。
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