相變內(nèi)存(Phase Change Memory,PCM)是近年來(lái)內(nèi)存業(yè)界熱門(mén)研發(fā)主題之一,針對(duì)這一新式內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)與廠商的專利現(xiàn)況,工研院IEK-ITIS發(fā)表最新研究報(bào)告指出,臺(tái)灣已有不少?gòu)S商投入該技術(shù)的研發(fā),相比于FeRAM與MRAM,在PCM領(lǐng)域發(fā)展機(jī)會(huì)較大。
工研院IEK-ITIS分析師陳俊儒表示,相變材料在1970年開(kāi)始就有重量級(jí)的公司投入研究資源,但受限于當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體制程技術(shù),相變材料在2000年以前的商業(yè)應(yīng)用還是以光盤(pán)為主;直到2000年之后,相變材料制作的相變內(nèi)存無(wú)論是在專利布局、芯片試產(chǎn)及學(xué)術(shù)論文上都開(kāi)始有了優(yōu)異的表現(xiàn)。其中一家PCM廠商O(píng)vonyx于1999年成立,將其PCM發(fā)展策略設(shè)定在知識(shí)產(chǎn)權(quán)(Intellectual Property,IP)商業(yè)模式,提供技術(shù)以推動(dòng)PCM進(jìn)入內(nèi)存市場(chǎng)。陳俊儒指出,目前Ovonyx擁有的它國(guó)專利申請(qǐng)數(shù)量全球最多、美國(guó)專利數(shù)第二(僅次于Micron),還獲得了Intel的投資,以及授權(quán)給ST、Elpida、Samsung及Qimonda等半導(dǎo)體大廠。
投資Ovonyx的廠商Intel也準(zhǔn)備推出128Mb PCM樣品,并計(jì)劃在2007年下半年采用90nm技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)。陳俊儒表示,這種稱為Alverstone的產(chǎn)品是Intel的首款PCM產(chǎn)品,是與NOR Flash兼容的替代產(chǎn)品。Intel技術(shù)官Justin Rattner并曾指出,Intel的理想目標(biāo)是讓128Mb PCM成為NOR Flash閃存的替代品,而該公司將持續(xù)優(yōu)化PCM的量產(chǎn)制程。
Ovonyx的授權(quán)廠商Samsung也將開(kāi)始供應(yīng)PCM的評(píng)估測(cè)試樣品,該公司目前向多家大型手機(jī)廠商提供的是256Mb和512Mb的90nm產(chǎn)品。為了準(zhǔn)備2008年上半年的量產(chǎn),該公司還計(jì)劃在2007年第2季和2007年年底,分別開(kāi)始供應(yīng)工程樣品和商用樣品。
陳俊儒表示,Samsung是從2006年下半年開(kāi)始量產(chǎn)90nm制程N(yùn)OR Flash,落后于同期開(kāi)始量產(chǎn)65nm產(chǎn)品的Intel。為此,Samsung希望以替代NOR Flash為目的,盡早創(chuàng)造出PCM被采用的實(shí)際業(yè)績(jī),以便在與其它公司的競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)領(lǐng)先地位。
根據(jù)ITRS預(yù)測(cè),PCM的Cell Size在2011年將小于NOR Flash,未來(lái)可望大規(guī)模取代NOR Flash市場(chǎng)(營(yíng)收約72億美元),未來(lái)市場(chǎng)潛力比FeRAM和MRAM大。陳俊儒表示,目前先進(jìn)廠商投入PCM的研發(fā)較晚,臺(tái)灣廠商投入PCM研發(fā)者,相比于FeRAM與MRAM反而來(lái)的多,多屬于DRAM揮發(fā)性內(nèi)存廠商。
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