相變內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是近年來內(nèi)存業(yè)界熱門研發(fā)主題之一，針對這一新式內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展趨勢與廠商的專利現(xiàn)況，工研院IEK-ITIS發(fā)表最新研究報告指出，臺灣已有不少廠商投入該技術(shù)的研發(fā)，相比于FeRAM與MRAM，在PCM領(lǐng)域發(fā)展機會較大。
工研院IEK-ITIS分析師陳俊儒表示，相變材料在1970年開始就有重量級的公司投入研究資源，但受限于當(dāng)時半導(dǎo)體制程技術(shù)，相變材料在2000年以前的商業(yè)應(yīng)用還是以光盤為主；直到2000年之后，相變材料制作的相變內(nèi)存無論是在專利布局、芯片試產(chǎn)及學(xué)術(shù)論文上都開始有了優(yōu)異的表現(xiàn)。其中一家PCM廠商Ovonyx于1999年成立，將其PCM發(fā)展策略設(shè)定在知識產(chǎn)權(quán)(Intellectual Property，IP)商業(yè)模式，提供技術(shù)以推動PCM進入內(nèi)存市場。陳俊儒指出，目前Ovonyx擁有的它國專利申請數(shù)量全球最多、美國專利數(shù)第二(僅次于Micron)，還獲得了Intel的投資，以及授權(quán)給ST、Elpida、Samsung及Qimonda等半導(dǎo)體大廠。
投資Ovonyx的廠商Intel也準備推出128Mb PCM樣品，并計劃在2007年下半年采用90nm技術(shù)進行量產(chǎn)。陳俊儒表示，這種稱為Alverstone的產(chǎn)品是Intel的首款PCM產(chǎn)品，是與NOR Flash兼容的替代產(chǎn)品。Intel技術(shù)官Justin Rattner并曾指出，Intel的理想目標(biāo)是讓128Mb PCM成為NOR Flash閃存的替代品，而該公司將持續(xù)優(yōu)化PCM的量產(chǎn)制程。
Ovonyx的授權(quán)廠商Samsung也將開始供應(yīng)PCM的評估測試樣品，該公司目前向多家大型手機廠商提供的是256Mb和512Mb的90nm產(chǎn)品。為了準備2008年上半年的量產(chǎn)，該公司還計劃在2007年第2季和2007年年底，分別開始供應(yīng)工程樣品和商用樣品。
陳俊儒表示，Samsung是從2006年下半年開始量產(chǎn)90nm制程NOR Flash，落后于同期開始量產(chǎn)65nm產(chǎn)品的Intel。為此，Samsung希望以替代NOR Flash為目的，盡早創(chuàng)造出PCM被采用的實際業(yè)績，以便在與其它公司的競爭中占據(jù)領(lǐng)先地位。
根據(jù)ITRS預(yù)測，PCM的Cell Size在2011年將小于NOR Flash，未來可望大規(guī)模取代NOR Flash市場(營收約72億美元)，未來市場潛力比FeRAM和MRAM大。陳俊儒表示，目前先進廠商投入PCM的研發(fā)較晚，臺灣廠商投入PCM研發(fā)者，相比于FeRAM與MRAM反而來的多，多屬于DRAM揮發(fā)性內(nèi)存廠商。
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