（全球TMT2022年10月18日訊）10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內(nèi)存速度可達到當前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過...

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟，旺季不旺，第三季存儲器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因存儲器需求明顯下滑而延緩采購，導致供應商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供應...

- 在驍龍（Snapdragon）移動平臺上，三星以8.5Gbps的運行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗證，為LPDDR（移動端）內(nèi)存打開了新市場。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日，三...

近日，里昂證券（CLSA）的論壇上一位分析師對CNBC表示，即使美國和中國沒有發(fā)生貿(mào)易戰(zhàn)，半導體行業(yè)也將很快大幅下滑。他表示，內(nèi)存芯片需求放緩，庫存水平上升以及價格下跌等因素可能導致該行業(yè)出現(xiàn)周期性下滑。

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日三星在一年一度的技術日研討會上公布了未來的3大規(guī)劃方向，其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無晶圓廠的整體解決方案。

據(jù)韓媒報道，在日前舉辦的行業(yè)活動上，IDC韓國副總裁Kim Su-gyeom預計，存儲半導體市場的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示，今年的市場需求較最初預期更為糟糕，預計來年三季度DRAM和NAN...

與其他類型的半導體相比，存儲芯片的競爭廠商數(shù)量更多，而且芯片本身的差異化程度較低，這使得存儲芯片更加商品化，對需求變化也就更加敏感。存儲芯片通常是第一個感受到需求變化并出現(xiàn)價格下跌的組件。

消費者對智能手機的需求持續(xù)放緩之際，高通公司(Qualcomm)首席財務官Akash Palkhiwala正在考慮向該公司不斷增長的汽車芯片業(yè)務配置多少資金。該公司預計2026年汽車芯片業(yè)務收入將超過40億美元，2031...

韓國存儲芯片制造商SK海力士今日表示，該公司成功研發(fā)出全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層512Gb TLC(Triple Level Cell)4D閃存芯片(NAND)樣品，該芯片將于明年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉，SK海力士當天...

愛思開海力士·英特爾DMTM半導體(大連)有限公司非易失性存儲器項目在大連金普新區(qū)舉行開工儀式。該項目將建設一座新的晶圓工廠，從事非易失性存儲器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。全球領先的半導體供應商SK海力士已在中國市場深...