2010年對于全球半導體產(chǎn)業(yè)而言，可說是值得紀念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達30%，創(chuàng)下10年以來新高紀錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%，移動通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要動能。預估2011年移動通訊用產(chǎn)品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機等移動通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。

　　至于晶圓代工和DRAM產(chǎn)業(yè)，雖然2010年將各成長40%和80%，不過由于全球景氣緩慢復蘇，加上2010年基期已高，2011年晶圓代工業(yè)產(chǎn)值預估仍僅將小幅度增長5.5%;DRAM產(chǎn)業(yè)則因小幅供過于求，將繳出負成長20%的慘綠成績，臺廠處境愈顯艱困。拓墣建議，臺灣半導體業(yè)者由于貼近亞太等新興國家市場，除可積極發(fā)展高階產(chǎn)品外，亦可仔細觀察新興市場需求與動態(tài)，朝向開發(fā)兼具低成本及符合新興市場特性的產(chǎn)品(如3 SIM卡/4 SIM卡手機芯片)發(fā)展。

　　DRAM慘淡經(jīng)營 臺廠前景有隱憂

　　2010年DRAM整體營收成長80%，是有史以來最好的一年，韓廠因此獲利大增、排名上升，SAMSung僅1~9月總營收即達315.4億美元(28.39兆韓元)，直逼Intel營收規(guī)模;但臺廠除力晶及瑞晶之外，南科、茂德及華亞科營收皆不如預期。

　　拓墣預估，2011年全球DRAM整體營收將較2010年下滑20%，僅322億美元，ASP也恐降至1.2~1.4美元/Gb的低水準，只有SAMSUNG等具有成本優(yōu)勢之國際大廠可能獲利，對于負債比仍高的臺廠來說，2011年又將是艱困的一年。例如無財團支撐的茂德，除寄望Elpida或政府伸出援手外，恐別無他法。 　　Mobile DRAM臺灣布局要趁早

　　另一方面，近年為滿足智能手機等移動運算裝置使用需求，使得Mobile DRAM這類具有獨特省電特性的內(nèi)存應運而生。另外，追求輕薄短小的手機也為內(nèi)存帶來新挑戰(zhàn)，不僅耗電量要低，更要在有限空間內(nèi)達到最大容量，只有采用最先進制程，才能符合所有的要求，故Mobile DRAM可望成為引領(lǐng)高端制程的新力量。

　　拓墣指出，Mobile DRAM不僅具備省電特性，最終產(chǎn)品型態(tài)也不同于一般內(nèi)存模塊。Mobile DRAM通常采用裸晶配合NAND Flash進行MCP封裝，或采用PoP

　　(Package-ON-Package)封裝，再與Application Processor堆棧組裝。無論裸晶圓測試或MCP封裝都必須有完整的配套，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)應即早切入，發(fā)展出完整供應鏈，才能在Mobile DRAM市場占一席之地。

　　NAND Flash移動云端帶動成長

　　而行動云端運算新趨勢興起，智能手機等行動裝置可實時將時、空、影、音等各項信息提供給資料中心(Data Center)中的云端服務器進行運算，以取得最佳結(jié)果。Mobile DRAM、NAND Flash在過程中將扮演更加重要角色，因此兩者占整體內(nèi)存的比重也將逐漸增加。

　　雖然NAND Flash需求量大，但由于各大NAND Flash廠紛紛透過擴產(chǎn)、制程微縮及采用部份TLC顆粒等三種方式來搶攻市占率，預估2011年將有微幅供過于求的狀況，但價格可望維持一定水準。

　　在SSD部分，拓墣預估2011年開始采用2xnm MLC顆粒單位價格將降至與目前Server級硬盤(1美元/GB)相近水準，再配合先進ECC、Wear Leveling等技術(shù)延長使用壽命至服務器等級，可望大幅度提高SSD在服務器市場使用率。但由于SSD與PC/NB用硬盤仍存在相當大的價格差異(SSD單位價格約1美元/GB，PC/NB用硬盤僅0.1美元/GB)，所以SSD在NB中的運用將仍將集中在1,500美元以上的中、高階機種。