英飛凌科技(Infineon Technologies)推出創(chuàng)新IGBT內(nèi)部封裝技術(shù),能大幅延長IGBT模組的使用年限。全新的.XT技術(shù)實現(xiàn)IGBT模組內(nèi)所有內(nèi)部接合的最佳化,以延長產(chǎn)品壽命。
相較于現(xiàn)有的技術(shù),全新的.XT技術(shù)可以延長IGBT模組10倍的使用壽命,另外輸出功率則增加25%。全新的技術(shù)支援最高達200℃的接面溫度。透過此全新的封裝技術(shù),能滿足新興應(yīng)用對于更高的功率循環(huán)性能需求,更提升模組的功率密度及更高的接面作業(yè)溫度。
功率循環(huán)會產(chǎn)生溫度變化,并導(dǎo)致IGBT模組內(nèi)部接合的機械應(yīng)力。單層因熱膨脹所產(chǎn)生的不同系數(shù),會造成熱應(yīng)力,最終導(dǎo)致材料疲乏及磨耗。全新的.XT技術(shù)涵蓋了IGBT模組內(nèi)影響功率循環(huán)性能的關(guān)鍵區(qū)域,包括晶片前端的黏合接線、晶片背面的焊接(晶片至DCB)以及DCB基板至底板的焊接。
這項全新的內(nèi)部接合技術(shù)適用于英飛凌多數(shù)現(xiàn)有的封裝以及全新的模組封裝。這三項新接合技術(shù)均適用于標準制程,非常適合大量生產(chǎn)。第一款采用全新.XT技術(shù)的產(chǎn)品是PrimePACK 2模組FF900R12IP4LD,搭載半橋架構(gòu),提供900安培,并以150℃接面作業(yè)溫度的IGBT4晶片為基礎(chǔ)。
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