法國的市場研究機構(gòu)Yole Development預期,明年MEMS設(shè)備產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)將持平,不過在慣性MEMS組件、RF開關(guān)、能量采集與微反射鏡(micromirrors)等方面仍有技術(shù)創(chuàng)新的空間。
在Yole Development針對全球MEMS設(shè)備與材料市場所做的最新報告中,預期MEMS量產(chǎn)工具產(chǎn)業(yè)在2009~2010年間的表現(xiàn)持平,不過業(yè)者的MEMS設(shè)備研發(fā)活動仍將積極,以因應市場2011年的大幅成長。預期到2012年,MEMS設(shè)備市場規(guī)??蛇_到5億美元。
Yole指出,MEMS量產(chǎn)技術(shù)趨勢向來是「一種產(chǎn)品、一種制程、一種封裝」,不過現(xiàn)在歐洲的制造廠與研發(fā)機構(gòu),已紛紛推出標準化的MEMS量產(chǎn)制程模塊。
其中的領(lǐng)導廠商包括Silex,該公司的晶圓穿孔(through-wafer via)與晶圓級封裝(WLP)平臺,能提供客戶共享制程,已達到較高的良率與降低成本。另一家業(yè)者CEA-Leti也可提供標準化的8吋晶圓制程。
其它標準化MEMS制造技術(shù)還包括硅晶圓穿孔(TSV)、緊密接合(hermetic bonding)與硅薄膜(Si membrane)等。Yole表示,采用TSV技術(shù)進行MEMS組件3D整合,在業(yè)界越來越常見,此趨勢也可望推動深層蝕刻(DRIE)技術(shù)的成長,并使蝕刻速度加快到100μ/ min。
至于MEMS材料部分,Yole預期該市場將在2012年達到4.7億美元規(guī)模。該機構(gòu)指出,目前在大量應用的MEMS組件制造上,晶圓尺寸有從6吋轉(zhuǎn)向8吋的趨勢;較厚(0.2~0.6μ)的SOI則是用于犧牲層(sacrificial release),此外在較高撓度(deflection)的微反射鏡或某些陀螺儀制造上,則有應用更厚BOX (大于5μ)的趨勢。
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