SEMI World Fab Forecast最新出爐報(bào)告，2009年前段半導(dǎo)體業(yè)者設(shè)備支出下滑，其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而，資本支出在2009年第2季便已呈現(xiàn)落底，目前在整個(gè)產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈也已經(jīng)看到穩(wěn)定回升的訊號(hào)，其中晶圓代工廠2009年下半年扮演資本支出復(fù)蘇推手，存儲(chǔ)器晶圓廠、后段封測(cè)則跟進(jìn)。

晶圓代工廠臺(tái)積電宣布，增加2009年資本支出回復(fù)到2008年19億美元的水平，比起原本的預(yù)測(cè)提高了26%左右。隨后，臺(tái)積電第2季的投資法人說(shuō)明會(huì)上，臺(tái)積電又進(jìn)一步提高了2009年資本支出到23億美元，甚至超越了2008年的金額。此大額的投資金額主要將用于擴(kuò)充40、45奈米及更先進(jìn)的制程技術(shù)產(chǎn)能。

時(shí)序進(jìn)入2009年第3季，亞太區(qū)領(lǐng)先的晶圓代工都已經(jīng)在第2季的營(yíng)收及產(chǎn)能利用率方面回升反彈，預(yù)估第3季營(yíng)運(yùn)皆將較第2季持續(xù)成長(zhǎng)。例如，新加坡特許半導(dǎo)體(Chartered)在2009年看到65奈米制程技術(shù)的強(qiáng)勁需求，決定提高資本支出幅度33%達(dá)到5億美元，主要進(jìn)行12寸廠Fab 7的產(chǎn)能擴(kuò)充。另外一方面，聯(lián)電也受到先進(jìn)制程回溫需求刺激，資本支出也從低于4億美元提高到5億美元。

而在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)方面，其資本支出仍被視為2010年半導(dǎo)體設(shè)備商的主要成長(zhǎng)動(dòng)力。經(jīng)過(guò)2年來(lái)的節(jié)縮成本之后，近期存儲(chǔ)器晶圓廠首次呈現(xiàn)資本支出復(fù)蘇的跡象。受惠于DRAM與Nand Flash業(yè)者控制供給的成效，2009年第1季已經(jīng)可以見(jiàn)到記憶憶產(chǎn)品價(jià)格趨于穩(wěn)定。

韓國(guó)的三星電子(Samsung Electronics)與海力士(Hynix)已經(jīng)先后宣布提高2009年下半資本支出。由于存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格穩(wěn)步趨堅(jiān)，以及主要的PC OEM業(yè)者需求改善，這2家存儲(chǔ)器龍頭紛紛繼續(xù)推進(jìn)其制程技術(shù)的進(jìn)程，以期能維持成長(zhǎng)的動(dòng)力與滿足市場(chǎng)的需求。例如三星打算提高半導(dǎo)體事業(yè)部門的資本支出以求保持其在產(chǎn)業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位;海力士也表示，下半年會(huì)提高DRAM與NAND Flash的資本支出金額，預(yù)期2009年底完成44奈米DRAM與32奈米Nand Flash產(chǎn)能建置;臺(tái)灣DRAM晶圓廠主要的投資約會(huì)落在2010年。

后段封裝測(cè)試方面，在第2季時(shí)候受到上游晶圓代工廠強(qiáng)勁需求的影響，產(chǎn)能利用率皆已明顯提升。臺(tái)灣主要的封裝測(cè)試業(yè)者由于受到先進(jìn)制程與特定應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，也提升其資本支出規(guī)畫(huà)，主要是在后段晶圓凸塊(wafer bumping)與晶圓級(jí)封裝(WLCSP)。在第1季所有的業(yè)者都承受極大的沖擊，但是第2季從上游的晶圓代工端開(kāi)始感受到復(fù)蘇，預(yù)期進(jìn)入下半年第3季起將可見(jiàn)更明顯的健康成長(zhǎng)信號(hào)，SEMI則是對(duì)2010年產(chǎn)業(yè)前景抱持謹(jǐn)慎樂(lè)觀的態(tài)度。