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爾必達(dá)：計(jì)劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)

時(shí)間：2009-08-17 09:22:34

關(guān)鍵字：制程技術(shù) 爾必達(dá) DRAM 晶圓

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[導(dǎo)讀]據(jù)透露，為了防止在與韓國(guó)對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)中落在后面，日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計(jì)劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達(dá)將采用50nm制程技術(shù)作為過(guò)渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達(dá)公司剛剛在65nm制

據(jù)透露，為了防止在與韓國(guó)對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)中落在后面，日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計(jì)劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達(dá)將采用50nm制程技術(shù)作為過(guò)渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達(dá)公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過(guò)爾必達(dá)曾計(jì)劃直接跳過(guò)50nm制程進(jìn)入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響未能成行。

目前韓國(guó)三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而到40nm制程技術(shù)成熟時(shí)，三星還將推出4F2技術(shù)。

美國(guó)鎂光公司則已經(jīng)在110nm制程中采用了6F2技術(shù)，不過(guò)他們同樣計(jì)劃明年開始使用40nm制程技術(shù)，并于同年40nm 6F2技術(shù)成熟后啟用4F2技術(shù)。

臺(tái)灣內(nèi)存廠商部分，南亞以及華亞則有望在采用40nm制程方面走在臺(tái)灣同僚的前面。南亞，華亞曾表示會(huì)在明年轉(zhuǎn)向50nm制程。

另外，爾必達(dá)日前剛剛宣布收購(gòu)了奇夢(mèng)達(dá)的顯存部門并獲得了該公司有關(guān)顯存技術(shù)的授權(quán)。爾必達(dá)與奇夢(mèng)達(dá)2008年曾簽訂共同開發(fā)內(nèi)存技術(shù)的協(xié)議，按這份協(xié)議，兩家公司將共同開發(fā)40nm 4F2技術(shù)，并在明年推出這項(xiàng)技術(shù)。

小資料：

8F2、6F2、4F2的DRAM技術(shù)，是在利用現(xiàn)有的DRAM制程技術(shù)上，不增加其他機(jī)器設(shè)備開發(fā)成本下，在相同面積的晶圓片上，透過(guò)設(shè)計(jì)概念的改變方式，增加晶圓的產(chǎn)出顆數(shù)，提升產(chǎn)出和成本效率。在同一個(gè)世代的制程下，6F2設(shè)計(jì)概念可比8F2設(shè)計(jì)增加約15%的晶圓顆數(shù)，而4F2又可比8F2技術(shù)增加30%產(chǎn)出，因此DRAM廠之要成功做出此款的設(shè)計(jì)，在不需要增加設(shè)備成本之下，可輕易提升生產(chǎn)效率。

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