爾必達(dá)：計劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)
據(jù)透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達(dá)將采 用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達(dá)公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過爾必達(dá)曾計劃直接 跳過50nm制程進(jìn)入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響未能成行。
目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而到40nm制程技術(shù)成熟時，三星還將推出4F2技術(shù)。
美國鎂光公司則已經(jīng)在110nm制程中采用了6F2技術(shù)，不過他們同樣計劃明年開始使用40nm制程技術(shù)，并于同年40nm 6F2技術(shù)成熟后啟用4F2技術(shù)。
臺灣內(nèi)存廠商部分，南亞以及華亞則有望在采用40nm制程方面走在臺灣同僚的前面。南亞，華亞曾表示會在明年轉(zhuǎn)向50nm制程。
另外，爾必達(dá)日前剛剛宣布收購了奇夢達(dá)的顯存部門并獲得了該公司有關(guān)顯存技術(shù)的授權(quán)。爾必達(dá)與奇夢達(dá)2008年曾簽訂共同開發(fā)內(nèi)存技術(shù)的協(xié)議，按這份協(xié)議，兩家公司將共同開發(fā)40nm 4F2技術(shù)，并在明年推出這項技術(shù)。
小資料：
8F2、6F2、4F2的DRAM技術(shù)，是在利用現(xiàn)有的DRAM制程技術(shù)上，不增加其他機(jī)器設(shè)備開發(fā)成本下，在相同面積的晶圓片上，透過設(shè)計概念的改變方式，增加晶圓的產(chǎn)出顆數(shù)，提升產(chǎn)出和成本效率。在同一個世代的制程下，6F2設(shè)計概念可比8F2設(shè)計增加約15%的晶圓顆數(shù)，而4F2又可比8F2技術(shù)增加30%產(chǎn)出，因此DRAM廠之要成功做出此款的設(shè)計，在不需要增加設(shè)備成本之下，可輕易提升生產(chǎn)效率。
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