歷史上半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)最差之年即將過(guò)去， 可能復(fù)蘇正在來(lái)臨。

從2008年1月起半導(dǎo)體設(shè)備訂單的三個(gè)月的移動(dòng)平均值持續(xù)下降， 但是今年3月時(shí)上升9%，是15個(gè)月來(lái)的第一次?？赡苓@僅僅是開(kāi)始， 今年7月時(shí)全球半導(dǎo)體設(shè)備無(wú)論銷(xiāo)售額或者訂單都有回升。這可能源自美國(guó)的經(jīng)濟(jì)開(kāi)始好轉(zhuǎn)，以及中囯今年的GDP仍有8%的增長(zhǎng)。全球宏觀經(jīng)濟(jì)將進(jìn)一步推動(dòng)全球芯片業(yè)的銷(xiāo)售好轉(zhuǎn)。

從各個(gè)公司看， 臺(tái)積電，STMicron及TI都因?yàn)橹袊?guó)市場(chǎng)的好轉(zhuǎn)而銷(xiāo)售額開(kāi)始提高。

從整個(gè)工業(yè)看， 全球SIA報(bào)道的今年3月及4月的芯片銷(xiāo)售額都有增長(zhǎng)， 芯片銷(xiāo)售的三個(gè)月移動(dòng)平均值自金融風(fēng)暴， 即去年的10月以來(lái)己經(jīng)連續(xù)下降達(dá)5個(gè)月， 但是3月時(shí)增長(zhǎng)3，5%及4月時(shí)增長(zhǎng)6，2%。今年4月份達(dá)到自1991年以來(lái)第二個(gè)最高4月增長(zhǎng)率。

下降幅度

從08年10月至今年的2月共計(jì)5個(gè)月的芯片銷(xiāo)售額下降達(dá)38%，從189億美元下降到142億美元。SIA認(rèn)為， 因?yàn)?008年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額下降3%，而預(yù)計(jì)今年將下降22%。

今年Q1的銷(xiāo)售額與去年同期相比下降達(dá)31%，表明產(chǎn)業(yè)的形勢(shì)仍十分嚴(yán)峻。但與2001年網(wǎng)絡(luò)泡沫時(shí)代下降45%相比，這次的下降還不算十分太差。

全球半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)的情況比芯片業(yè)還要差，按SEMI的數(shù)據(jù)，4月時(shí)設(shè)備的三個(gè)月移動(dòng)平均值與2007年8月的峰值相比下降達(dá)72%。

新建廠動(dòng)向

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)從2007年開(kāi)始下降一直持續(xù)至今， 由于新建廠的數(shù)量節(jié)節(jié)減少。從2007年Q2的新廠建設(shè)費(fèi)用為50億美元， 之后逐漸下降， 甚至有的季度出現(xiàn)為0。如下圖所示;

今年新廠建設(shè)將逐季回升，及明年將進(jìn)入另一個(gè)高峰(出處: Strategic Marketing Associates.)

然而新廠建設(shè)開(kāi)始增加，從今年Q2的34億美元，到Q3時(shí)可能達(dá)80億美元， 預(yù)計(jì)2010年的Q3可達(dá)200億美元。

由于新廠建設(shè)的滯后效應(yīng)導(dǎo)致僅很少數(shù)量的新廠開(kāi)始量產(chǎn)， 預(yù)計(jì)到明年Q4時(shí)這些新廠量產(chǎn)的銷(xiāo)售額可超過(guò)200億美元。

從現(xiàn)在到明年底的時(shí)期中，比較有信心的廠商是intel，globalfoundries，Samsung，Toshiba，TSMC，UMC，IMFlash及SMIC， 它們都有可能進(jìn)入10億美元以上的投資俱樂(lè)部。

除此之外如Powerchip，Rexchip，ProMOS，Angstrem，Mikron，Silterra，Grace和Elpida/SVG也有可能建設(shè)12英寸fab的計(jì)劃。

2010年全球半導(dǎo)體業(yè)投資增長(zhǎng)達(dá)30%

隨著芯片銷(xiāo)售額上升及新廠建設(shè)開(kāi)始都能推動(dòng)關(guān)于全球半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)的投資增加。所以今年的剩下月份及明年對(duì)于全球半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)較為有利。根據(jù)對(duì)于各芯片制造廠的調(diào)查，今年全球半導(dǎo)體固定資產(chǎn)投資為240億美元，相當(dāng)于1994年的水平。預(yù)計(jì)2010年時(shí)可增長(zhǎng)達(dá)310億美元。

自全球金融危機(jī)以來(lái)， 半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)受到嚴(yán)重創(chuàng)傷， 估計(jì)到2010年時(shí)可能會(huì)重新復(fù)蘇， 并預(yù)計(jì)未來(lái)2011及，2012年對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)將是幸運(yùn)之年。